一、半导体集成电路设计和工艺（论文文献综述）
中商产业研究院[1]（2021）在《中国集成电路市场前景及投资研究报告》文中进行了进一步梳理受益于移动通信终端、汽车等众多应用领域需求持续走强,叠加国家层面政策支持,"十四五"时期集成电路市场规模将高速增长,预计2025年中国集成电路销售额将突破2万亿元。集成电路作为全球信息产业的基础与核心,被誉为"现代工业的粮食",其应用领域广泛,在电子设备、通讯、军事等方面得到广泛应用,
汤朔,李锟[2]（2021）在《集成电路国际标准分析》文中指出本文将针对集成电路领域国际标准情况开展分析,研究集成电路领域内的国际标准组织的运行模式和标准制修订情况,通过对领域内国内外标准的对比分析出国内外的标准体系和标准制修订方面上的差距。
李蕾[3]（2021）在《基于工程教育认证的“半导体集成电路”教学模式改革研究》文中提出文章主要说明在工程教育认证背景下"半导体集成电路"课程在教学内容和教学方法上存在的问题,针对性地提出相应的改革方案。对现有教学内容进行丰富和优化,通过对不同内容采取不同的教学方法来提高学生学习的积极性和主动性;通过"线上+线下"、实践教学等教学模式,改变教学理念,达到提升教学效果的目的,从而满足集成电路产业快速发展对人才的需求。
唐浩[4]（2021）在《无锡市集成电路产业发展路径的研究》文中提出
蔡芷媚[5]（2020）在《14纳米FinFET工艺寄生电容的研究》文中认为随着半导体工艺技术节点的缩小,金属互连线密度不断增加,集成电路寄生电容和电阻所造成的电路延时占电路总延时的比重越来越大。由于工艺复杂度的增加,28纳米及其以下工艺节点的寄生电容提取的精确度以及可靠性问题变得越来越突出。到了14纳米工艺,由于采用鳍式场效应晶体管以及双重图形光刻技术带来新的工艺偏差,使得集成电路寄生电容的影响因素愈加复杂。为了精确地获取集成电路寄生电容,得到更为精确和完备的寄生参数描述,使寄生参数抽取的结果更准确,本文主要做了以下工作。首先,基于集成电路寄生电容的基本概念、仿真理论和测试方法,深入地讨论14纳米工艺采用的新技术对寄生电容的影响。接着,根据讨论和分析结果设计合理的仿真方案,采用高精度的三维电容仿真和有限差分法对寄生电容进行仿真,定量地分析14纳米工艺对金属线同层电容、层间电容以及集成电路工艺角的影响。最后,根据仿真分析结果,设计电容测试结构版图,以便在后续的流片测试和切片测量中获得在实际工艺制造条件下的电容偏差情况,从而得到更为精确和完备的寄生电容参数描述。
黄炜[6]（2019）在《一种12位A/D转换器电路可靠性设计方法研究》文中研究指明随着模拟集成电路朝高精度、高速度和低功耗方向发展,其集成度越来越高,器件特征尺寸越来越小,器件中寄生效应、电流密度不断增强,导致器件对缺陷的敏感度也大大增加;同时新的应用要求模拟集成电路扩展其工作领域在高压、高温、强辐射、高频和大功率等恶劣条件下,这都使得模拟集成电路面临的可靠性问题日益严峻。本文选取一种12位A/D转换器电路为研究对象,开展适应A/D类模拟集成电路特点的可靠性设计技术研究,形成一套完善、有效的设计参考方法。通过对模拟集成电路可靠性设计技术全面、定量的分析与设计研究,从而保证模拟集成电路的可靠应用,满足高可靠性模拟集成电路的需求,弥补传统可靠性设计方法不全面的不足。本文主要研究内容为:1、模拟集成电路容差设计方法研究对于模拟集成电路来说,由于实际芯片生产工艺中与理想情况存在差异、实际工作环境中器件工作条件与理想情况存在差异,本文针对在模拟集成电路设计过程中的差异,利用计算机协助进行参数选择,保障器件的性能满足工作需求。2、抗辐射加固设计研究辐射导致整机中的模拟集成电路参数退化甚至完全失效,从而整机无法正常工作。因此,本文针对模拟集成电路抗辐射加固设计方法进行研究,针对模拟集成电路的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从模拟集成电路的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等方面进行加固考虑,确保设计生产出的电路能够满足相应的空间辐射环境使用。3、ESD防护与辐照加固兼容性设计研究由于集成电路特征尺寸逐步缩小,器件的抗静电能力越来越弱。很多抗静电能力较低的产品,在生产制造、运输、使用过程中因静电而导致的产品失效越来越多,不仅提高了成本,更降低了产品可靠性。特别是对于模拟集成电路来说,由于应用环境的特殊性,电路往往需要具备一定的抗辐射能力,但器件的抗辐射能力通常与抗静电能力是矛盾的。因此,本文结合模拟集成电路的工艺和线路特点,开展适合模拟集成电路特点的防静电设计（在电路的抗静电能力与抗辐照能力之间进行合理的折中）,确保设计生产出的器件能够达到规定的抗静电等级。4、热设计及防闩锁设计方法研究模拟集成电路除了上述主要可靠性问题外,还面临着热效应、闩锁效应等失效机理,因此,本文针对上述失效机理,分析影响机理的关键因素,并提出对应的设计加固方法。5、一款12位A/D转换器可靠性设计及验证本文选取了一款12位A/D转换器,对其进行模拟集成电路ESD防护、抗辐射加固、ESD防护与辐照加固兼容性等可靠性设计,并通过可靠性验证试验,验证了所设计电路的可靠性。
帅喆[7]（2015）在《军用半导体集成电路制造商QML认证体系建设研究》文中研究指明由于军用半导体集成电路在武器装备中的核心地位,国内一直对其实行严格的质量管控机制,包括合格产品目录（QPL）质量认证模式。随着新技术快速发展和新供应商的大量涌现,QPL认证模式已逐渐不能适应武器装备信息化建设的需求。合格制造商目录（QML）质量认证是国外对军用半导体集成电路普遍采用的质量认证模式,但国内体制机制、技术水平与国外差异较大,QML认证模式能否在国内推广实施还存在疑问。本文结合QML质量认证试点工程,研究QML认证体系建设的理论和实践问题。首先,对QML认证体系的基本框架进行了研究,包括QML认证对象的界定、组织机构、认证流程、关键项目分析,明确了申请QML认证的制造商在体系建设中应重点解决体系文件、过程能力证明两大核心要素。其次,分别对QML认证体系文件、过程能力证明进行了研究和论述。在研究QML认证体系文件时,分析了过去文件编制的不足,并结合国内"GJB546+GJB7400"二合一的认证标准要求,通过对比QML认证标准条款要素,论述了文件编制的基本方法、步骤；在研究过程能力证明时,结合集成电路的技术特征,剖析了过程能力证明的内涵以及设计、工艺过程数据采集的途径。最后,以X公司为案例,阐述了QML认证体系建设的具体操作方法,证明了QML认证模式在国内推广实施的可操作性。
王鹏飞[8]（2014）在《中国集成电路产业发展研究》文中研究表明当今世界,在经济社会现代化发展过程中,信息越来越展示出其无所不在的特征,电子信息产品已经在日常生活与工作中起到越来越重要的作用。集成电路是处理信息的基础设备,因此,集成电路被公认为信息技术革命、信息化、信息时代的动力系统。进入21世纪以后,随着全球信息化、网络化和知识经济的迅速发展,集成电路产业在国民经济中的地位越来越重要,它以其无穷的变革、创新和极强的渗透力,推动着电子信息产业的快速发展。就电子信息产品而言,集成电路不仅是电子信息设备的核心,同时也会起到很明显的辐射效应。据国际货币基金组织测算,集成电路产业1元的产值可以带动相关电子信息产业10元的产值,带来100元的国内生产总值（GDP）。电子信息技术的战略性、基础性、渗透性首先体现在集成电路产业,很多精密设备都需要性能强大的集成电路产品作为坚强后盾。集成电路产业是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心和基础,是转变经济发展方式、调整信息产业结构、扩大信息消费、维护国家安全的重要保障。集成电路产业是现代电子信息产业的基础和核心,其发展程度会对中国在全球经济一体化和信息化竞争中所处的地位造成极大的影响。一方面,工业化社会的各个领域都会应用到集成电路产业的发展成果,集成电路产业的发展影响和推动了-系列传统产业的革新和升级；另一方面,信息化和网络化的发展都是需要建立在集成电路技术进步的基础之上的,集成电路产业的发展能够有力地推动国家信息化进程,这就使得集成电路在经济发展中的战略地位愈发重要。经过几十年的发展,特别是2000年6月,国务院发布了《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发[2000]18号）,自文件颁布以来,中国的集成电路产业发展速度加快,投资环境不断改善,产业规模迅速扩大,技术水平显着提升。此后十几年间,中国集成电路产业获得了长足进步。从产业规模来看,中国集成电路产量增长11倍,占全球产量近10%,销售收入翻了三番,占全球产业比重达8.6%,已经成为世界集成电路产业的重要一极。从产业链来看,在一系列重大科技专项的支持下,中国集成电路产业在设计、制造、封测、材料和设备方面形成了较为完整的产业体系,技术水平与国际先进水平的距离逐步缩小,企业实力得到明显提升。中国集成电路产业经历几十年的发展,尽管取得了长足进步,但是在未来的发展道路上也会面临着巨大的挑战,仍然面临着诸多制约因素。美国、欧洲、日本等国家和地区在高端集成电路产品及技术方面对中国仍然实行禁运政策,使中国对近邻国家和地区的竞争处于不利地位,这也对中国集成电路产业自主发展能力提出更高要求。企业技术创新力量薄弱,能与国际领先水平抗衡的国家队尚未形成,致使中国集成电路市场长期大量依靠进口,国内产品能满足国内市场需求的尚不足20%。集成电路产品高度对外依存严重影响了中国电子整机产业以及经济信息安全等领域的自主可控发展。中国要以新的面貌、新的视角、新的思路,追赶和缩短与世界集成电路产业水平的差距,走上自强、自立、自主地快速发展中国集成电路产业的大道。党的“十八大”提出实施创新驱动发展战略,明确指出：“提高原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新能力,深化科技体制改革,推动科技和经济紧密结合,加快建设国家创新体系,着力构建以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系。完善知识创新体系,强化基础研究、前沿技术研究、社会公益技术研究,提高科学研究水平和成果转化能力,抢占科技发展战略制高点。加快新技术新产品新工艺研发应用,加强技术集成和商业模式创新。”与此同时,移动互联网、两化融合、三网融合、物联网和云计算、电动汽车、新能源等战略性新兴产业快速发展,成为推动集成电路产业持续、健康发展的新动力,中国集成电路产业的广阔前景正在逐步实现。展望未来,中国集成电路产业的发展将迎来一个新的发展时期。在新的历史征程开始之前,需要认真梳理中国集成电路产业所面临的机遇和挑战,沉着应对国际风云变幻,抓住技术升级和商业模式转变所带来的历史性发展契机,充分发挥后发优势,推动中国集成电路产业实现跨越式发展,让集成电路产业在实现中国工业化和信息化、带动其他产业转型升级方面发挥排头兵的作用,为中国在全球信息化的竞争中占据有利地位,实现由中国制造向中国创造转型提供保障。中国集成电路产业研究既是一个重要的理论研究课题,也是一个具有很强现实指导意义的研究课题。本论文应用相关经济学理论,采取规范分析与实证分析相结合、定量分析与定性分析相结合、及比较分析的研究方法,进行系统分析,在现有集成电路发展问题研究成果的基础上,研究了中国集成电路的发展现状、产业结构、区域布局等,论述了集成电路产业的地位和作用,并对集成电路产业发展存在的问题和原因进行了分析,总结了国际集成电路产业发展的经验和启示,分析了国际集成电路产业的发展趋势,重点研究了中国集成电路产业的发展现状及其发展所面临的机遇和挑战。在此基础上从政策扶持、技术创新、产业链、区域布局、商业模式、市场环境、人才激励、国际化等角度提出了中国集成电路产业发展的政策建议。论文除绪论外,共分为六章。论文阐述了研究背景和研究意义,国内外研究现状,研究的理论基础,研究的思路、主要内容和研究方法,并提出了研究的创新点及进一步研究的问题。论文阐述了集成电路产业的相关概念和发展情况,介绍了集成电路产业在对电子信息产业、国民经济发展以及国防与信息安全的地位和作用,并结合国际上先进国家和地区集成电路产业的发展经验及启示,客观分析了集成电路产业的发展趋势。论文研究了中国集成电路产业的发展历程,从国家相关政策、技术创新、公共服务、人才培养、产业链、区域分布等角度评价了中国集成电路产业的发展现状。论文研究了中国集成电路产业发展中存在的问题和差距,分析了造成中国集成电路产业发展中存在问题和差距的历史原因和现实原因。论文研究了美国、欧洲、日本、韩国和中国台湾地区集成电路产业的发展状况,总结出集成电路产业发展的主要经验和对中国集成电路产业发展的启示。论文重点从全球产业转移带来的发展机遇、国内巨大市场需求带来的发展机遇、国际政策支持带来的发展机遇、技术进步和两化融合带来的发展机遇、以及商业模式创新带来的发展机遇等客观分析了中国集成电路产业面临的战略机遇；与此同时,分别从全球市场平缓增长、国际竞争更加激烈,产业模式不断创新、全球产业加快重组,技术革新步伐加快、资金门槛不断提高,以及知识产权竞争加剧、产业生态深度演变等方面分析了中国集成电路产业发展面临的挑战。论文在全面分析国际集成电路产业发展趋势及中国集成电路面临的发展机遇与挑战的基础上,有针对性地提出了对策建议,包括加大政策扶持、完善配套政策体系,强化技术创新、增强企业核心竞争力,整合产业资源、做大做强产业链,优化区域布局、统筹规划资源投入,创新商业模式、实现产业跨越式发展,改善投融资体系、培育健康市场环境,健全激励机制、吸引聚集高端人才,着眼国际市场、积极实施国际化战略等。
张云伟[9]（2013）在《跨界产业集群之间合作网络研究 ——以张江与新竹IC产业为例》文中研究说明随着第三次科技革命的来临与经济全球化的深入,交通与通信技术日新月异,资源的跨区域流动性空前加大。以大型跨国公司为主导的全球生产网络成为新时期重要的经济现象,不少中小型企业也将其研发、生产嵌入到全球生产网络之中。受其影响,产业集群的开放性特征越来越明显,资本、技术、人才等创新资源在不同产业集群之间的交流更加频繁,不同产业集群之间的联系愈来愈密切。不同经济体产业集群之间相互联系成为新时期全球经济空间组织的一道风景线,其对全球经济发展的推动作用越来越大。因此,分析不同产业集群之间合作的前提条件、合作机制、演化机理等具有重要的理论与应用价值。论文以导师主持的教育部人文社科基金项目“网络权力与企业空间行为、企业创新”、上海市科技发展基金软科学重点项目“张江建成世界一流高新区的发展思路与策略研究”、上海张江高科技园区领导小组项目“浦东新区志张江高科技园区卷编制”、上海市政府决策咨询研究项目“构建浦东开放型创新体系研究”、上海张江集团“张江高科技园区产业发展十大亮点”等研究课题为支撑,在2010年至2013年2月的时间内对张江高科技园区内20多家集成电路企业及上海半导体协会、上海市集成电路协会、张江集团等部门进行了30多次访谈和调研,为本文顺利完成奠定了扎实的基础。从网络的空间范围来看,经济地理学者比较关注以地方网络为主的产业集群理论和以全球联系为主的全球生产网络两大理论流派。Allen Scott等产业集群论者对产业集群的概念及内涵、组成结构、合作机制、类型、演化机理等内容进行了系统研究。近年来,Harald Bathelt等部分学者也开始重视外部联系对于产业集群发展的重要性,关注产业集群外部联系机制及其影响。Peter Dicken等全球生产网络论者则主要分析了全球生产网络的内涵、结构、治理机制、跨国公司与国家制度的相互作用等。然而,无论是新区域主义者提出的产业集群理论,还是贸易理论演化而来的全球生产网络理论都无法解释位于不同经济体产业集群之间合作的经济空间组织现象,更没有解释这种跨界产业集群之间合作联系的机理和过程。本文在借鉴产业集群、全球生产网络理论的基础上,构建了超越产业集群和全球生产网络理论的全新分析框架,系统阐述了跨界产业集群之间合作网络的概念及内涵、发生机制、前提条件、制约因子、组成结构、合作机制与演化机理等。并在实地调研的基础上,对张江与新竹集成电路产业集群之间合作网络进行了实证分析,得出结论如下：第一,跨界产业集群之间合作网络提升了全球资源的整合能力。本文认为跨界产业集群之间合作网络指的是在不同地区具有相互依赖关系的两个产业集群（产业集群A与产业集群B）通过正式或非正式联系形成的空间组织体系,能够充分利用不同地区优势,更高效地整合创新资源。他们所依托的制度可能相同,也可能差异较大。跨界产业集群之间合作网络具有地域不连续性、相互依赖性、制度复杂性等特征,由位于不同经济体的两个产业集群和外部通道构成。产业集群包括了企业、研发机构、大学和中介组织等微观主体、地方网络、及其所依托的制度与文化。外部通道不仅包括网络内产业集群之间的相互联系,而且包括与其他地区的正式或非正式联系。这种网络组织构架能够充分利用不同产业集群的资源优势,促进产业集群之间分工合作,推动经济整体创新发展。第二,跨界产业集群之间合作网络具有一定前提条件与制约因子。虽然经济全球化继续深入、产业集群外部性特征越来越明显,但并不是所有的产业集群之间都能形成跨界产业集群之间合作网络。不同经济体的产业集群之间进行合作需要一定的前提条件,如相似的产业基础、不同的区位条件、大量的FDI、不同的技术等级等。不同产业集群所依托的制度对于跨界产业集群之间合作网络的作用并不相同。相异的文化会制约跨界产业集群之间合作网络的形成与发展。第三,网络权力与跨界技术社区推动跨界产业集群之间合作网络演化。组织邻近与关系邻近是不同经济区产业集群相互作用的两种表现方式。具体来说,外部通道分为FDI、上下游合作、人才跨界流动三种形式,跨界产业集群之间合作网络通过这三种联系形式实现两地资源高效整合与快速创新发展。网络权力、市场等因素通过推动外部通道的发展促进跨界产业集群之间合作网络形成与发展。在跨界产业集群之间合作网络形成与发展的过程中,制度与文化起着一定的推动或阻碍作用。根据不同经济体产业集群之间的合作密切程度与外部通道发育情况,跨界产业集群之间合作网络的演化过程可分为孕育、发展、成熟、衰退、消亡或复兴五个阶段。在孕育期,跨界产业集群之间合作网络中的一个产业集群发展成熟,另一个产业集群刚刚起步；通过企业家异地创业或跨国企业异地建立分支机构,落后区域获得初步发展,不同经济体产业集群之间初步形成合作联系。进入发展阶段后,外部通道逐渐增多,产业集群A与B内跨国企业之间的联系增多,产业集群之问的跨界合作更加密切；在跨国企业分支机构网络权力的影响下,后发地区吸引产业集群A内上下游企业进入,推动地方网络逐渐形成,促使产业集群B形成。在成熟阶段,外部通道不仅包括企业之间的跨界联系,而且包括管理人员、技术人才及核心企业家的人才跨界流动；产业集群B获得快速发展,创新能力迅速提升,通过自主创新能力培育与产业集群A的技术差距不断缩小,并与产业集群A形成上下游合作联系。产业集群A与B通过正式与非正式合作,推动跨界产业集群之间合作网络走向成熟。当发生消极锁定、缺乏与外界交流时,跨界产业集群之间合作网络将进入衰退阶段。当网络内技术守门员通过与研发机构、外部技术层级更高的企业合作获得突破性技术、开发革命性产品、开拓新的市场时,跨界产业集群之间合作网络则步入复兴期。第四,张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络已进入成熟期。从1992年张江高科技园区启动至今,张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络共经历了孕育、发展、成熟三个阶段。在孕育阶段（1992至1999年）,受中国大陆改革开放、特别是大陆投资环境和巨大市场的吸引,新竹IC产业集群内的企业家、资金、人才等创新资源流入张江高科技园区；张江高科技园区IC产业与新竹科学工业园区IC产业技术差距非常大,主要处于全球IC产业的制造和封装领域。在发展阶段（2000年至2004年）,受1999年上海市政府发布“聚焦张江”战略的鼓舞,在台资企业网络权力与大陆市场吸引的作用下,新竹IC产业集群内IC设计企业跟随进入张江,促使新竹IC产业集群内更多的人才、资金、技术等创新资源进入张江。张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络的制造环节在全球IC产业中占据绝对优势,设计领域也获得一定发展。在成熟阶段（2005年至今）,张江与新竹IC跨界产业集群之间的人才流动更加频繁,上下游跨界合作联系较为明显,张江与新竹IC产业集群融合发展共同推进两地IC产业发展。在IC制造的带动下,张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络IC设计业也获得快速发展。同时,在技术扩散的作用下,张江与新竹IC产业集群技术差距进一步缩小。张江高科技园区对外开放制度设计吸引了人才、FDI,推动了张江外部通道的发展,促进了张汀与新竹IC跨界产业集群之间合作网络的形成与发展；而新竹科学工业园区限制高端技术及大型投资项目进入中国大陆的政策,阻碍外部通道的发展,从而制约张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络的发展。但是,由中介组织发起的“海峡两岸集成电路产业合作发展论坛”为张江与新竹IC产业集群合作提供了交流合作的管道,在一定程度上抵消了台湾当局设置的制度障碍。这就是说,张江与新竹同祖同宗的中华文化替代了管理部门,发挥了推动跨界产业集群之间合作网络发展的作用。
吴聘奇[10]（2008）在《台湾IC产业的发展模式与空间扩散研究》文中提出坚持科学发展观、改变经济发展方式、优化产业结构是近年来我国经济发展的主旋律。IC产业是高科技、高成长、高效益、高风险行业,其产品广泛应用于通讯、电子、娱乐、军工等方面。由于IC技术处于现代科技的核心地位,因此IC产业的发展程度常代表一个国家或地区经济现代化的水平。为此,世界各国都高度重视IC产业的发展。台湾的IC产业虽然起步较晚,但发展十分迅猛,现已成为世界重要的IC产业基地。其集成电路代工制造、芯片封装和测试都居世界之首,IC设计领域仅次于美国,居世界第二,尤以代工领域占据全球七成以上的市场份额而让人刮目相看。况且,在台湾IC产业的快速成长过程中,创造了逆向发展、垂直分工、科技赶超、政策引领等方面的经验,形成了独特的IC产业发展模式。研究和总结台湾IC产业的发展历程、发展模式、发展经验、发展趋势,对了解世界IC产业的发展脉络和台湾路径具有重要意义。因此,在理论层面上,研究台湾的IC产业,有利于深化认识高科技产业的发展规律,总结出IC产业的最佳发展模式。大力发展IC产业是我国实现由制造大国向创造强国转化的关键举措。近年来,我国已成为全球跨国公司转移IC产业的热点地区,IC产业发展迅猛,特别在晶圆代工领域已形成了一定的规模产能,在世界市场上占有一席之地。但是,与世界先进水平还有很大差距,尤其在IC设计领域差距十分明显。因此,深入探索台湾IC产业的发展路径和模式,对我国IC产业的迅速崛起和健康成长,有重要的借鉴意义。这也是本文选题的实践价值。本文可以大致分为四个部分。第一部分包括第一章、第二章和第三章。第一章主要阐述了本研究的背景与意义,并对研究对象及其特性作出解释,并介绍了研究所采用的方法与架构,归纳出几个研究的创新点与局限。在第二章中,本研究在吸收借鉴生命周期理论、学习曲线理论与全球价值链理论的基础上,梳理了当今IC产业的研究成果,归纳了对IC产业进行研究的不转型模式和以威盛为代表的Fabless专业模式。第三部分为本文的第六章。第六章即在空间尺度上对台湾的IC产业发展做出研究,分析了台湾IC产业的空间扩散态势。以台湾IC产业的岛内布局为起点,以台湾IC产业的全球扩散为指向,重点讨论了台湾IC产业的大陆布局和扩散动因。台湾IC产业的岛内布局呈现出以新竹科学园区为核心的源头集聚,而在全球扩散中则呈现明显的中国大陆布局指向。在经济位势、市场位势、技术位势的三大位势选择下,台湾IC产业的空间布局具有高度特殊性,即IC制造企业的布局扩张带有极其慎重的战略决策意识,对所在区位的投资环境要求也格外严格,不仅考虑到生产所需的材料来源、环境要求、智力环境等因素,还受到其产业链上下游其它企业布局的影响,具有一定的跟随性。与传统的电子制造业相比,IC制造业在布局定位之后二次转移的可能性大为减少,具有极强的区位根植性。随后表明,当局政策成为台湾IC产业对外扩散的一项重要影响因素,并且发现了台湾IC企业规避政策障碍所进行的间接扩散规律。第四部分为本文的第七章与第八章。第七章对台湾IC产业对大陆IC产业发展的启示进行探讨。在分析中国大陆IC产业发展现状与特征的基础上,指出台湾IC产业对大陆的影响在于高低阶的分工与协作;同时就中国IC产业面临的竞争与挑战进行分析,指出台湾与大陆的IC企业均面临着海外企业的竞争威胁,以及对自身定位的再思考与探索问题,并根据台湾IC产业的发展模式选择对中国大陆的IC产业发展提供借鉴与参考。最后的第八章,是本文的结论部分。对研究的结果进行再次的归纳与总结,并提出未来研究的潜在方向。
二、半导体集成电路设计和工艺（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、半导体集成电路设计和工艺（论文提纲范文）
（1）中国集成电路市场前景及投资研究报告（论文提纲范文）
| 一、“十四五”集成电路发展路径分析 |
| （一）集成电路发展目标 |
| （二）全国集成电路发展路径 |
| 二、集成电路行业基本概况 |
| （一）集成电路定义 |
| （二）集成电路分类 |
| 三、集成电路行业发展环境 |
| （一）国内经济持续稳定恢复 |
| （二）全球半导体向中国大陆转移 |
| （三）新一代技术推动集成电路发展 |
| 四、集成电路行业发展现状 |
| （一）集成电路企业注册量增加 |
| （二）集成电路产量持续增长 |
| （三）华东地区集成电路产量高 |
| （四）集成电路产业规模高速增长 |
| （五）集成电路设计产业规模扩大 |
| （六）集成电路制造产业规模稳步提升 |
| （七）集成电路封测销售额增速趋于平稳 |
| （八）集成电路进出口逆差大 |
| （九）集成电路布图设计发证数量增加 |
| 五、集成电路上游市场现状 |
| （一）国产光刻胶产量增加 |
| （二）全球硅晶圆出货面积攀新高 |
| （三）国产光刻机加速研发 |
| （四）国产刻蚀机暂露头角 |
| 六、集成电路下游市场现状 |
| （一）家电零售额增长 |
| （二）可穿戴设备出货量增长 |
| （三）5G基站数量增加 |
| 七、集成电路行业重点企业 |
| （一）中芯国际 |
| （二）紫光国微 |
| （三）士兰微 |
| （四）长电科技 |
| （五）全志科技 |
| 八、“十四五”集成电路行业发展前景 |
| （一）集成电路市场空间预测 |
| （二）集成电路发展前景 |
（2）集成电路国际标准分析（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 集成电路产业概述 |
| 3 国际标准化组织 |
| 3.1 国际电工委员会（IEC) |
| 3.2 固态技术协会（JEDEC) |
| 3.3 国际半导体产业协会SEMI |
| 4 我国集成电路领域标准制修订情况 |
| 4.1 对IEC标准进行的有效转化 |
| 4.2 参考国际知名协会标准制定相关标准 |
| 4.3 针对产业进行了自主标准的研究制定 |
| 5 我国集成电路领域标准制修订存在问题 |
| 5.1 标准体系创新不足 |
| 5.2 面临严峻的技术封锁 |
| 5.3 标准更新换代较慢 |
| 6 我国集成电路领域标准化关注点 |
| 6.1 复杂电路部分参数难以准确测试 |
| 6.2 封装工艺的标准化 |
（3）基于工程教育认证的“半导体集成电路”教学模式改革研究（论文提纲范文）
| 一、“半导体集成电路”课程教学目前存在的问题 |
| 二、“半导体集成电路”课程教学模式的改革 |
| （一）基于多媒体的线下教学模式 |
| （二）“线上+线下”教学模式 |
| （三）实践教学 |
| （四）考核方式 |
| 三、超星学习通对“半导体集成电路”课程的挑战 |
| （一）对教师的挑战：制作学习资源、发布学习要求、设计教学过程 |
| （二）对学生的挑战：自主学习、合作学习、竞争学习 |
（5）14纳米FinFET工艺寄生电容的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本论文的研究内容及组织结构 |
| 第2章 集成电路的寄生电容 |
| 2.1 集成电路中的器件电容与寄生电容 |
| 2.1.1 前段MOS电容与寄生电容 |
| 2.1.2 后段金属导体电容与寄生电容 |
| 2.1.3 寄生参数提取与工艺角 |
| 2.2 寄生电容的理论基础 |
| 2.2.1 寄生电容的电磁场理论 |
| 2.2.2 部分电容的基本概念 |
| 2.3 寄生电容的数值仿真方法 |
| 2.3.1 有限差商近似的泰勒级数展开 |
| 2.3.2 拉普拉斯微分方程的差分代替 |
| 2.3.3 差分方程的求解 |
| 2.4 寄生电容的测试方法 |
| 2.4.1 电容并联测试法 |
| 2.4.2 CBCM电容测试法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 14 纳米Fin FET工艺对寄生电容的影响 |
| 3.1 14 纳米Fin FET工艺技术 |
| 3.1.1 前段工艺技术 |
| 3.1.2 后段工艺技术 |
| 3.2 Fin FET立体结构对寄生电容的影响 |
| 3.3 LELE技术对寄生电容的影响 |
| 3.3.1 位移偏差对同层电容的影响 |
| 3.3.2 位移偏差对层间电容的影响 |
| 3.3.3 放大偏差对互连线电容的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 14 纳米Fin FET工艺寄生电容的研究方案 |
| 4.1 整体研究方案 |
| 4.2 三维电容仿真结构的搭建 |
| 4.3 CBCM电路版图设计及验证 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 寄生电容的仿真分析及测试结构设计 |
| 5.1 14纳米工艺寄生电容的仿真分析 |
| 5.1.1 LELE技术对金属电容的影响 |
| 5.1.2 其他工艺过程对金属电容的影响 |
| 5.1.3 14纳米工艺中与电容相关的工艺角 |
| 5.2 后段寄生电容测试结构的设计 |
| 5.2.1 底层金属的寄生电容测试结构 |
| 5.2.2 上层金属的寄生电容测试结构 |
| 5.3 前段寄生电容测试结构的设计 |
| 5.4 电容测试结构版图的整体安排 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 硕士在读期间研究成果 |
（6）一种12位A/D转换器电路可靠性设计方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 模拟集成电路可靠性的发展 |
| 1.2 本文主要工作 |
| 1.3 本论文的结构安排 |
| 第二章 12位A/D转换器容差设计 |
| 2.1 电路的容差设计方法 |
| 2.2 12位A/D转换器容差设计 |
| 2.2.1 12位A/D转换器基本工作原理 |
| 2.2.2 关键单元电路设计 |
| 2.2.3 容差设计 |
| 第三章 12位A/D转换器ESD防护设计 |
| 3.1 模拟集成店里ESD防护设计方法 |
| 3.1.1 ESD保护电路设计背景 |
| 3.1.2 静电放电模型与静电测试方法 |
| 3.1.3 ESD保护电路设计规则 |
| 3.1.4 ESD防护电路 |
| 3.2 12位A/D转换器ESD防护设计 |
| 第四章 12位A/D转换器抗辐射加固设计 |
| 4.1 模拟集成电路抗辐射加固设计方法 |
| 4.1.1 辐射环境 |
| 4.1.2 主要的几种辐射类别 |
| 4.1.3 辐射机理 |
| 4.1.4 抗辐射加固设计规则 |
| 4.1.5 抗辐射加固设计具体措施 |
| 4.2 模拟集成电路ESD防护和抗辐射加固兼容性设计 |
| 4.2.1 模拟集成电路ESD防护与辐照加固兼容性设计背景 |
| 4.2.2 模拟集成电路ESD防护与辐照加固兼容性设计原则 |
| 4.2.3 模拟集成电路辐照加固ESD防护器件 |
| 4.2.4 模拟集成电路辐照加固ESD器件设计规则 |
| 4.2.5 选择ESD保护器件 |
| 4.3 12位A/D转换器抗辐射加固设计 |
| 4.3.1 稳态总剂量解决措施 |
| 4.3.2 单粒子翻转解决措施 |
| 4.3.3 单粒子锁定解决措施 |
| 第五章 12位A/D转换器其他可靠性设计 |
| 5.1 热设计方法 |
| 5.1.1 热设计版图设计方法 |
| 5.1.2 热设计封装设计方法 |
| 5.2 防闩锁设计方法 |
| 5.2.1 产生闩锁的条件及电路防闩锁设计的原则 |
| 5.2.2 电路防闩锁设计的原则 |
| 5.2.3 闩锁效应的触发源 |
| 5.2.4 防闩锁设计 |
| 第六章 12位A/D转换器可靠性验证 |
| 6.1 实物芯片 |
| 6.2 常态测试结果 |
| 6.3 可靠性验证 |
| 第七章 结论 |
| 7.1 本文的主要工作 |
| 7.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（7）军用半导体集成电路制造商QML认证体系建设研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景和问题的提出 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.3 国内外研究动态 |
| 1.4 主要研究内容 |
| 1.5 研究方法 |
| 1.6 研究特色和主要研究工作 |
| 1.7 论文写作框架 |
| 第2章 军用半导体集成电路QML认证发展历程 |
| 2.1 QML认证的相关概念和起源 |
| 2.2 QML认证的行业背景 |
| 2.3 军用半导体集成电路制造商质量认证标准 |
| 2.3.1 GJB9001B-2009标准 |
| 2.3.2 GJB546B-2011标准 |
| 2.3.3 GJB597A-96规范 |
| 2.3.4 GJB7400-2011标准 |
| 2.4 国外QML认证体系建设情况 |
| 2.4.1 QML认证合格供应商情况 |
| 2.4.2 QML认证要求 |
| 2.4.3 QML认证的政策性要求 |
| 2.4.4 QML认证体系建设的具体要求 |
| 第3章 QML认证体系的基本框架 |
| 3.1 QML认证对象的界定 |
| 3.1.1 工艺基线 |
| 3.1.2 标准评价电路(SEC) |
| 3.2 QML认证体系组织机构及职责 |
| 3.2.1 技术评审委员会(TRB)简介 |
| 3.2.2 TRB的职责 |
| 3.2.3 TRB的建设和运作流程 |
| 3.3 QML认证流程 |
| 3.4 QML认证体系建设的关键工作项目 |
| 3.5 国内实施QML认证体系的必要性和可行性分析 |
| 3.5.1 QML认证在国内实施的必要性分析 |
| 3.5.2 QML认证在国内实施的可行性分析 |
| 第4章 QML认证体系文件架构与编制 |
| 4.1 QML认证体系文件架构 |
| 4.2 QML认证体系文件的编制 |
| 4.2.1 文件编制的一般要求 |
| 4.2.2 QML认证体系文件编制步骤 |
| 4.2.3 QML认证标准条款要素分析 |
| 4.2.4 文件编制的具体要求 |
| 4.3 QML认证体系审核的要求 |
| 第5章 QML认证体系过程能力证明 |
| 5.1 过程能力证明概述 |
| 5.2 设计过程能力证明 |
| 5.2.1 电路设计 |
| 5.2.2 外壳设计 |
| 5.3 工艺过程能力证明 |
| 5.3.1 工艺过程能力影响因素 |
| 5.3.2 工艺控制和能力表征的总体要求 |
| 5.3.3 晶圆工艺能力证明的特殊要求 |
| 5.3.4 封装工艺能力证明的特殊要求 |
| 第6章 X公司QML认证体系建设案例 |
| 6.1 QML认证体系文件案例 |
| 6.1.1 质量保证大纲计划模板 |
| 6.1.2 程序文件 |
| 6.2 过程能力证明案例 |
| 6.2.1 设计过程能力证明 |
| 6.2.2 工艺过程能力证明 |
| 第7章 结论和未来展望 |
| 7.1 研究结论 |
| 7.2 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）中国集成电路产业发展研究（论文提纲范文）
| 论文创新点 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 表目次 |
| 图目次 |
| 绪论 |
| 一、研究背景和研究意义 |
| 二、国内外相关研究综述 |
| 三、研究的理论基础 |
| 四、研究内容和研究方法 |
| 五、研究的创新与需要进一步研究的问题 |
| 第一章 集成电路产业概述 |
| 第一节 集成电路 |
| 一、集成电路的涵义 |
| 二、集成电路技术 |
| 三、集成电路的发展历史 |
| 四、集成电路分类 |
| 第二节 集成电路产业 |
| 一、集成电路产业的涵义 |
| 二、集成电路产业的特征 |
| 三、集成电路产业的市场状况 |
| 第三节 集成电路产业的重要地位和作用 |
| 一、集成电路产业是电子信息产业的基础和核心 |
| 二、集成电路产业是国民经济持续增长的推动力 |
| 三、集成电路产业对国防与信息安全具有重要意义 |
| 第四节 集成电路产业的发展趋势 |
| 一、集成电路产业技术发展趋势 |
| 二、集成电路产业结构调整及转移趋势 |
| 三、集成电路产业芯片、整机联动的发展趋势 |
| 四、集成电路产业与资本结合的发展趋势 |
| 五、集成电路产业商业模式的发展趋势 |
| 第二章 中国集成电路产业的发展现状 |
| 第一节 中国集成电路产业发展的总体概况 |
| 一、中国集成电路产业的发展历程 |
| 二、中国集成电路产业的技术创新现状 |
| 三、中国集成电路产业的公共服务现状 |
| 四、中国集成电路产业发展的人才培养现状 |
| 第二节 中国集成电路产业的产业链 |
| 一、集成电路设计产业 |
| 二、集成电路制造产业 |
| 三、集成电路封装与测试产业 |
| 四、集成电路材料与装备产业 |
| 第三节 中国集成电路产业的区域布局 |
| 一、环渤海区域集成电路产业的发展 |
| 二、长三角区域集成电路产业的发展 |
| 三、珠三角区域集成电路产业的发展 |
| 四、西部区域集成电路产业的发展 |
| 第三章 中国集成电路产业发展的问题及原因 |
| 第一节 中国集成电路产业发展存在的问题 |
| 一、市场严重依赖进口 |
| 二、缺乏高端领军企业 |
| 三、工艺水平差距较大 |
| 四、基础技术积累不足 |
| 五、配套技术发展滞后 |
| 六、产业布局尚需优化 |
| 第二节 中国集成电路产业发展存在问题的原因 |
| 一、人才基础相对薄弱 |
| 二、技术创新能力不强 |
| 三、政策支持不能持续 |
| 四、商业模式创新不够 |
| 五、资本投入运作欠缺 |
| 第四章 美、欧、日、韩及中国台湾地区集成电路产业发展的经验和启示 |
| 第一节 美国集成电路产业发展 |
| 一、美国集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、美国集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第二节 欧洲集成电路产业发展 |
| 一、欧洲集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、欧洲集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第三节 日、韩集成电路产业发展 |
| 一、日、韩集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、日、韩集成电路产业发展特点及启示 |
| 第四节 中国台湾地区集成电路产业发展 |
| 一、中国台湾地区集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、中国台湾地区集成电路产业发展特点及启示 |
| 第五章 中国集成电路产业面临的机遇和挑战 |
| 第一节 中国集成电路产业发展面临的环境 |
| 一、宏观环境 |
| 二、市场环境 |
| 三、政策环境 |
| 第二节 中国集成电路产业面临的机遇 |
| 一、全球产业转移带来的发展机遇 |
| 二、国内巨大市场需求带来的发展机遇 |
| 三、国家政策支持带来的机遇 |
| 四、工业化和信息化融合带来的发展机遇 |
| 五、商业模式创新带来的发展机遇 |
| 第三节 中国集成电路产业面临的挑战 |
| 一、全球市场平缓增长,国际竞争更加激烈 |
| 二、产业模式不断创新,全球产业加快重组 |
| 三、技术革新步伐加快,资金门槛不断提高 |
| 四、知识产权竞争加剧,产业生态深度演变 |
| 第六章 中国集成电路产业发展对策 |
| 第一节 加大政策扶持,完善配套政策体系 |
| 一、政策扶持是产业发展的最大助力 |
| 二、产业发展新的突破需要更强力的政策扶持 |
| 第二节 强化技术创新,增强企业核心竞争力 |
| 一、技术创新是集成电路产业快速发展的源泉 |
| 二、鼓励技术创新,促进产业发展 |
| 第三节 整合产业资源,做大做强产业链 |
| 一、资源整合是产业健康发展的必由之路 |
| 二、采取多种措施推动产业做大做强 |
| 第四节 优化区域布局,统筹规划资源投入 |
| 一、集成电路产业群聚效应日益凸现 |
| 二、增强区域聚焦,强化产业协同 |
| 第五节 创新商业模式,实现产业跨越式发展 |
| 一、市场多元化与服务化趋势提供新契机 |
| 二、创新商业模式,实现跨越发展 |
| 第六节 改善投融资体系,培育健康市场环境 |
| 一、改善产业投融资环境,增强市场活力 |
| 二、引导市场规范运作,促进产业良性发展 |
| 第七节 健全激励机制,吸引聚集高端人才 |
| 一、国际竞争需要一流的高端人才 |
| 二、健全激励机制,引进高端人才 |
| 第八节 着眼国际市场,积极实施国际化战略 |
| 一、国际化是产业发展的必然选择 |
| 二、形成产业合力,共同开拓国际市场 |
| 参考文献 |
| 中文部分 |
| 英文部分 |
| 攻读学位期间发表的相关论文 |
| 后记 |
（9）跨界产业集群之间合作网络研究 ——以张江与新竹IC产业为例（论文提纲范文）
| 论文摘要 ABSTRACT 目录 图录 表录 第1章 导论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 研究目标、内容、问题及创新点 |
| 1.2.1 研究目标 |
| 1.2.2 研究内容与框架 |
| 1.2.3 拟解决的关键问题 |
| 1.2.4 可能的创新点 |
| 1.3 基本概念 |
| 1.3.1 网络 |
| 1.3.2 跨界合作 |
| 1.3.3 企业网络 |
| 1.3.4 产业集群 |
| 1.3.5 跨界产业集群之间合作网络 |
| 1.4 研究基础与方法 |
| 1.4.1 研究基础 |
| 1.4.2 研究方法 第2章 网络理论研究进展与评述 |
| 2.1 产业集群 |
| 2.1.1 产业集群概念 |
| 2.1.2 产业集群类型 |
| 2.1.3 产业集群理论缺陷 |
| 2.2 产业集群外部联系 |
| 2.2.1 外部联系的微观主体 |
| 2.2.2 外部联系的主要方式 |
| 2.2.3 外部联系的主要类型 |
| 2.2.4 外部联系的作用效果 |
| 2.2.5 外部联系与本地蜂鸣的作用对比 |
| 2.3 全球生产网络 |
| 2.3.1 全球生产网络概念与内涵 |
| 2.3.2 全球生产网络的分析框架 |
| 2.3.3 全球生产网络与区域发展 |
| 2.4 研究评述 第3章 跨界产业集群之间合作网络的经济地理学基础 |
| 3.1 实践社区与人才环流 |
| 3.1.1 实践社区概念及内涵 |
| 3.1.2 实践社区特征 |
| 3.1.3 人才环流与技术社区 |
| 3.2 网络权力与技术守门员 |
| 3.2.1 网络权力 |
| 3.2.2 技术守门员 |
| 3.3 演化经济地理学 |
| 3.3.1 演化经济地理学的基本原则 |
| 3.3.2 演化经济地理学研究目的及基本框架 |
| 3.3.3 演化经济地理学的基本主张 |
| 3.3.4 演化经济地理学研究的基本层面 |
| 3.3.5 产业集群发展的演化经济地理学解释 第4章 跨界产业集群之间合作网络前提条件与形成机制 |
| 4.1 跨界产业集群之间合作网络形成的背景 |
| 4.1.1 第三次科技革命 |
| 4.1.2 跨国企业全球投资 |
| 4.1.3 贸易自由化 |
| 4.1.4 经济转型与对外开放 |
| 4.1.5 全球化与地方化融合 |
| 4.2 跨界产业集群之间合作网络形成的前提条件与制约因子 |
| 4.2.1 跨界产业集群之间合作网络发生的前提条件 |
| 4.2.2 跨界产业集群之间合作网络发生的制约因子 |
| 4.3 跨界产业集群之间合作网络的形成机制 |
| 4.3.1 基于人才流动的跨界产业集群之间合作网络形成机制 |
| 4.3.2 基于跨区投资的跨界产业集群之间合作网络形成机制 |
| 4.3.3 基于贸易的跨界产业集群之间合作网络形成机制 第5章 跨界产业集群之间合作网络合作机制及演化 |
| 5.1 跨界产业集群之间合作网络组织结构 |
| 5.2 跨界产业集群之间合作网络合作机制 |
| 5.2.1 组织邻近与跨界企业网络 |
| 5.2.2 关系邻近与跨界技术社区 |
| 5.2.3 制度重构与文化适应 |
| 5.3 跨界产业集群之间合作网络演化机理 |
| 5.3.1 跨界产业集群之间合作网络孕育阶段 |
| 5.3.2 跨界产业集群之间合作网络发展阶段 |
| 5.3.3 跨界产业集群之问合作网络成熟阶段 |
| 5.3.4 跨界产业集群之间合作网络衰退、消亡或复兴 第6章 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络前提条件 |
| 6.1 全球集成电路产业发展与集群布局 |
| 6.1.1 全球集成电路产业发展演变 |
| 6.1.2 全球集成电路产业细分领域 |
| 6.1.3 集成电路产业全球空间格局及全球生产网络 |
| 6.1.4 中国集成电路产业集群空间布局 |
| 6.2 张江与新竹IC产业集群跨界合作的前提条件 |
| 6.2.1 张江与新竹IC产业集群发展背景 |
| 6.2.2 张江与新竹相似的产业基础 |
| 6.2.3 张江与新竹不同的区位条件 |
| 6.2.4 张江与新竹IC产业丰富的FDI |
| 6.2.5 张江与新竹IC产业不同的技术水平 |
| 6.2.6 张江与新竹的制度与文化作用 第7章 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络演化 |
| 7.1 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络孕育阶段 |
| 7.1.1 新竹IC产业集群出现与发展 |
| 7.1.2 企业家迁移推动张江与新竹IC产业集群跨界合作初步形成 |
| 7.1.3 张江与新竹IC产业集群资源优势初步整合 |
| 7.1.4 张江与新竹制度的不同作用 |
| 7.2 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络发展阶段 |
| 7.2.1 张江与新竹IC产业链逐步完善 |
| 7.2.2 市场与网络权力吸引企业跨界迁移推动外部通道扩张 |
| 7.2.3 张江与新竹IC产业集群深化合作发展 |
| 7.2.4 张江制度促进与新竹制度阻碍作用 |
| 7.3 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络成熟阶段 |
| 7.3.1 张江与新竹IC产业集群走向成熟 |
| 7.3.2 企业上下游跨界合作与人才流动推动外部通道走向成熟 |
| 7.3.3 自主创新能力提升推动张江与新竹IC产业集群跨界融合发展 |
| 7.3.4 中介机构跨界合作制度的推动作用 第8章 结论与展望 |
| 8.1 主要研究结论 |
| 8.1.1 跨界产业集群之间合作网络提升了全球资源的整合能力 |
| 8.1.2 跨界产业集群之间合作网络需要一定前提条件 |
| 8.1.3 网络权力与跨界技术社区推动跨界产业集群之间合作网络演化 |
| 8.1.4 张江与新竹IC跨界产业集群之间合作网络进入成熟期 |
| 8.2 主要创新点 |
| 8.2.1 论述了经济地理学第三大经济空间组织关系 |
| 8.2.2 修正了区域合作中的错位竞争理论 |
| 8.2.3 重新审视了地方政府在区域合作中的作用 |
| 8.2.4 重新阐述了距离在经济地理学中的意义 |
| 8.3 需要进一步深化研究的问题 参考文献 后记 |
（10）台湾IC产业的发展模式与空间扩散研究（论文提纲范文）
| 论文摘要 ABSTRACT 第一章 绪论 |
| 第一节 研究背景与意义 |
| (一) 研究背景 |
| (二) 研究意义 |
| 第二节 研究对象与特性 |
| (一) IC产品的基本分类 |
| (二) IC产业的主要特性 |
| (三) IC产业的环节分解 |
| (四) IC产业的下游延伸 |
| 第三节 研究方法与架构 |
| (一) 研究方法 |
| (二) 研究架构 |
| 第四节 研究创新与局限 |
| (一) 创新点 |
| (二) 研究局限 第二章 相关理论和研究综述 |
| 第一节 生命周期理论 |
| (一) 产品生命周期 |
| (二) 产业生命周期 |
| (三) 企业生命周期 |
| 第二节 学习曲线理论 |
| (一) 学习曲线的概念解释 |
| (二) 学习曲线的理论发展 |
| (三) 学习曲线的实证应用 |
| 第三节 全球价值链理论 |
| (一) 国外研究 |
| (二) 国内研究 |
| 第四节 IC产业国内外研究进展 |
| (一) 发达国家的研究 |
| (二) 发展中国家和地区研究 |
| (三) 中国大陆的研究 |
| (四) 研究展望 第三章 世界IC产业的发展规律 |
| 第一节 发展阶段性 |
| (一) 发展简史 |
| (二) 发展阶段 |
| 第二节 内在周期性 |
| (一) 决定因素 |
| (二) 周期图谱 |
| (三) 近年发展分析 |
| (四) 短期发展预测 |
| (五) 产业成长空间 |
| 第三节 未来趋势性 |
| (一) 产业整合趋势:大者恒大 |
| (二) 企业战略趋势:分合轮替 |
| (三) 市场变迁趋势:角色更新 |
| (四) 空间迁移趋势:西业东渐 |
| 第四节 国际案例 |
| (一) 美国 |
| (二) 日本 |
| (三) 韩国 |
| (四) 欧洲 第四章 台湾IC产业的成长背景与全球地位 |
| 第一节 成长背景 |
| (一) 产业转型与升级要求 |
| (二) 高科技产业的发展 |
| 第二节 发展历程 |
| (一) 成长阶段 |
| (二) 发展特征 |
| (三) 主要企业 |
| 第三节 全球地位 |
| (一) 全球市场地位 |
| (二) 在全球产业链中的地位 |
| (三) 技术进步态势 第五章 台湾IC产业发展模式与案例实证 |
| 第一节 世界IC产业的发展模式演化 |
| (一) System House模式(系统厂商模式) |
| (二) IDM模式(整合组件制造商模式) |
| (三) Fabless & Foundry模式(晶圆代工厂商模式) |
| (四) Fabless/Fab-lite模式(无晶圆厂和晶圆厂轻省化模式) |
| 第二节 台湾IC产业的角色嵌入 |
| 第三节 不同模式选择下的案例实证 |
| (一) Foundry成长模式——以台积电为例 |
| (二) IDM转型模式——以联电为例 |
| (三) Fabless专业模式——以威盛电子为例 |
| 第四节 未来发展模式预测 第六章 台湾IC产业的空间扩散 |
| 第一节 岛内布局——源头集聚 |
| 第二节 全球扩散——大陆指向 |
| (一) 全球地域迁移 |
| (二) 大陆扩散指向 |
| (三) 大陆布局现状 |
| 第三节 空间扩散的机制和布局选择 |
| (一) 经济位势 |
| (二) 市场位势 |
| (三) 技术位势 |
| (四) 地方根植性 |
| 第四节 当局政策影响:扩散中的冲突 |
| (一) 对大陆经贸投资政策的历史变迁 |
| (二) 政策障碍所造成的损失 |
| (三) 台资IC企业的应对选择 第七章 对大陆IC产业发展的启示 |
| 第一节 中国大陆的IC产业发展 |
| (一) 发展现状 |
| (二) 忧患分析 |
| (三) 世界影响 |
| 第二节 台湾IC产业对大陆的影响 |
| 第三节 选择与启示 |
| (一) ODM与OBM的矛盾 |
| (二) DMS与EMS的选择 第八章 结论 附录 参考文献 后记 |
四、半导体集成电路设计和工艺（论文参考文献）
- [1]中国集成电路市场前景及投资研究报告[J]. 中商产业研究院. 电器工业, 2021(09)
- [2]集成电路国际标准分析[J]. 汤朔,李锟. 中国标准化, 2021(S1)
- [3]基于工程教育认证的“半导体集成电路”教学模式改革研究[J]. 李蕾. 黑龙江教育(理论与实践), 2021(07)
- [4]无锡市集成电路产业发展路径的研究[D]. 唐浩. 江南大学, 2021
- [5]14纳米FinFET工艺寄生电容的研究[D]. 蔡芷媚. 浙江大学, 2020(02)
- [6]一种12位A/D转换器电路可靠性设计方法研究[D]. 黄炜. 电子科技大学, 2019(01)
- [7]军用半导体集成电路制造商QML认证体系建设研究[D]. 帅喆. 东南大学, 2015(02)
- [8]中国集成电路产业发展研究[D]. 王鹏飞. 武汉大学, 2014(06)
- [9]跨界产业集群之间合作网络研究 ——以张江与新竹IC产业为例[D]. 张云伟. 华东师范大学, 2013(11)
- [10]台湾IC产业的发展模式与空间扩散研究[D]. 吴聘奇. 华东师范大学, 2008(11)
标签：集成电路论文; 集成电路设计与集成系统论文; qml论文; 创新设计论文; 寄生电容论文;