一、从ASIC到PLD:半导体技术市场趋势展望（论文文献综述）
金梓[1]（2021）在《LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现》文中指出LFMCW雷达需要处理大量的数字信号运算,通常外置大量的DSP,FPGA资源作为处理单元,从而增加了雷达系统的成本与复杂程度。因此,为了提升系统的集成度,以获得更快速度,低功耗和低成本表现的LFMCW信号处理系统,本文提出并设计了一款适用于K波段毫米波雷达的中频信号处理芯片方案,并完成对应的从算法仿真建模、硬件结构设计、ASIC设计、FPGA平台原型验证等工作,具体完成安排的工作如下:（1）简述LFMCW雷达的基本工作原理,并选取对称三角波信号作为系统的扫频调制信号,分析推导不同的静动目标情况下定位测速原理和数学公式分析。然后重点论述了线性调频连续波雷达信号处理的算法架构建模和仿真分析,包括了多周期脉冲累积增大SNR、基于脉冲对消器结构的MTI滤波器、基于FFT结构的MTD滤波器、基于最大值和均值的二维恒虚警算法、基于模糊速度矩阵的多目标频率匹配算法等。（2）在确定的信号处理结构的基础之上,完成对应结构的RTL级HDL代码设计工作,并设置模拟和合理的仿真环境,完成RTL代码的验证工作。然后采用Synopsys的数字芯片开发环境,并基于TSMC90nm的工艺制程完成对雷达信号处理机部分的ASIC设计,其工作包含了时序约束、逻辑综合、一致性分析、低功耗设计、STA分析、Floorplan设计、Placement设计、CTS综合、Routing设计、Layout设计等。（3）关于基于FPGA的板级原型验证平台,本设计搭建了一套完整的24GHZ频段的LFMCW雷达系统,设计使用英飞凌公司自带集成VCO的BGT24LTR11一体收发机芯片作收发机;使用AD9245作为高速A/D采样电路;使用ADF4159产生系统所需的三角调频波;使用赛灵思XC6SLX25I FPGA芯片作为RTL移植的原型载体。最终设计测试环境,对芯片原型进行等价验证测试。最终,本设计在100MHZ的时钟频率约束下,得到芯片的版图大小约为1062.48)*1059.848),面积约11259748)2,功耗约为4.1074m W。
张志彬[2]（2020）在《二维TMDs基光探测器性能研究》文中研究说明二维过渡金属硫属化物（TMDs）已被证明了拥有高载流子迁移率、禁带宽度对于紫外到近红外光波段理想以及与材料层数相关的能带结构等有利于光探测器应用的优秀性质。迄今为止,一系列性能优秀的二维TMDs基光探测器已被制备出来。然而,其中多数的报道都是使用剥离法或化学气相沉积法等的制备技术,有样品尺寸小、不可控、生产规模小以及生产过程不洁净的缺点。目前大量关于TMDs基光探测器的报道都是围绕二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等材料展开,关于二硒化钨（WSe2）的研究尚未十分成熟,也是一种值得研究的材料。本文首先对脉冲激光沉积技术（PLD）在光探测领域的发展进行了综述。PLD是物理气相沉积技术的一种类型,它可以根据化学计量比将靶材材料沉积到基底上。并且PLD的工艺参数直观、制备过程清洁,是制备大尺寸零维、一维、二维材料的理想方法。内容根据包括TMDs在内的材料体系分别展开,详细介绍了材料的特性、优点以及常规的制备方法,并指出其使用PLD制备的优势所在和目前已有的关于PLD制备应用于光探测器的报道。二维WSe2作为TMDs家族的一种化合物,拥有与其它TMDs类似的性质,例如强的光与物质相互作用、与层数相关的能带结构等,是一种十分有潜力的材料。本文制备了机械剥离的少层WSe2纳米片,以研究其在光探测器应用上的性能。制成的基于光电导效应的WSe2光探测器在可见光到近红外光范围内均有稳定的响应,获得了不俗的光响应度（8.573 A W-1）,较高的探测率（1.210×1010Jones）以及仅为120 ms的响应时间。结果证明了二维WSe2在光探测器的应用中非常具有潜力,再考虑到PLD在大规模生产上的优势以及该项技术在TMDs应用于光探测器的工作较少,若能将两者结合,将对二维材料光探测器发展有重要意义。
米建伟[3]（2018）在《电力电缆故障诊断中信号检测与增强技术研究》文中提出随着城市的快速发展,地埋电缆相对架空电缆而言具有较多优势而得到广泛的应用。但随着社会经济的增长,电缆负荷持续增加以及地面野蛮施工等,地埋电缆容易发生故障;加之电网改造、电缆搬迁与修复、地貌变化,原有图纸已不能反映电缆的走向与埋深,地埋电缆的维护和管理问题日益增多。由于地埋电缆跨越地域大,故障点的寻找十分困难,若不能及时修复电缆故障,不仅会浪费大量的人力物力资源,还可能会造成停电事故。因此,快速、准确地定位电缆故障点具有迫切的现实意义。本文首先对电缆故障检测的基本知识如故障类型、产生原因以及检测方法进行分析,阐明电缆故障检测的关键技术在于检测过程中采集信号的滤波与增强处理,并进而综述了电缆故障检测及信号增强的国内外发展现状。其次针对电缆故障检测技术中所存在的问题,旨在研究故障距离预定位、电缆路径寻测、故障位置精定位方法以及在低信噪比非平稳背景噪声下的信号增强技术。研究的主要工作和创新性成果包括:电缆故障距离的预定位需要在较强的背景噪声和干扰信号下提取微弱的有用信号。本文对不同距离电缆故障测试所得到的信号进行分析,研究了基于改进型经验模态分解（Empirical Mode Decomposition,EMD）滤波的电缆故障信号检测技术,首先对信号进行经验模态分解,然后确定本征模态分量中噪声主导分量与有用信号主导分量的分界点,并采用小波变换进一步筛选有用信号,减少滤波误差,以此对发射波波头和反射波波头进行定位,得出时间差,计算故障距离,实现故障点的预定位。针对在电缆路径探测中管线分布错综复杂的环境下,信号间的干扰大大影响探测结果准确性的问题,本文探讨了基于EMD的五阶收敛独立分量分析（Independent Component Analysis,ICA）电缆路径检测信号提取技术。电缆路径检测基于接收信号与发射信号的强相关性、与干扰信号以及噪声频谱的差异性,对信号进行EMD分析,并采用五阶收敛ICA方法使得EMD依次分解出的本征模态分量与剩余信号相互独立,并自动提取与发射信号的频谱具有最大相关性的本征模态分量,作为最终所要求的信号,从而达到去除干扰、增强有用探测信号的目的。声磁同步法是电缆故障精确定位中的常用方法,磁场信号频率高、幅值强,容易检测,但声音信号幅度小,且容易受周围环境噪声的影响。针对故障点检测环境噪声复杂、电缆故障检测定点装置采样的故障点冲击放电声音完全淹没在背景噪声中的问题,本文提出了一种基于小波包变换分解信号、自适应滤波估计噪声与遗传算法寻优重构相结合的声音信号增强算法。结合声磁同步定点法,能够更为准确地计算电力电缆故障点放电声音信号与磁场信号同步传输差值,提高故障点精定位的精度。针对电缆故障检测仪器功能单一、结构固定、不能根据环境的改变而自动变换相应功能,且当软硬件出现问题时不能自修复的问题,本文将硬件演化思想应用于电缆故障检测设备,使得电缆故障检测系统向低功耗、小型化、高可靠性方向发展。选用现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array,FPGA）作为演化硬件并提出一种非持久精英保留策略的趋向型紧凑遗传算法（non-persistent elitism Tendency Compact Genetic Algorithm,ne-TCGA）用以对硬件实现演化,弥补了传统演化算法占用存储空间大与搜索能力不足等缺点,提高演化效率,为最终实现多功能电缆故障检测自演化系统奠定了基础。本文以经验模态分解、小波变换、独立分量分析、优化算法等为理论基础,研究了电缆故障检测过程中的信号增强技术,通过理论分析、仿真验证以及试验应用,有效地解决了非平稳背景噪声下有用信号的提取问题,提高了电缆故障检测信号的信噪比,增加了电缆故障检测准确率。最后将演化思想应用于电缆故障检测,研究新型智能电缆故障检测系统,从而达到电缆发生故障后能够及时准确地检测到故障点并进行修复的目的。
张港红[4]（2018）在《农业物联网专用处理器芯片设计研究》文中认为集成电路作为信息产业的基础和核心,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。随着微控制器技术的深入发展,并广泛应用到农业领域。然而,目前的微控制器都是按照工业标准设计的,农业环境更加复杂,迫切需要研究设计针对农业应用的处理器芯片,在满足农业应用需求的同时,实现农业领域微控制器技术的自主可控,保障农业信息安全。鉴于此,本文设计并实现了一款农业物联网专用处理器芯片,主要研究成果如下:（1）分析了农业物联网专用处理器芯片的应用模式并进行了农业物联网专用处理器总体设计。从大田作物、设施园艺、水产养殖、畜牧养殖、农业综合类型等5种物联网应用场景以及农业种植、饲养、培育良种、农产品储藏、农业机械化、农产品分类加工、农业气象与环境等7个领域出发,分析了智慧农业应用场景中农业物联网专用处理器芯片典型应用模式,得出了农业物联网专用处理器芯片的参数规格和图像处理算法加速模块的需求。（2）设计了农业物联网专用处理器芯片AASP1.0架构。基于CISC指令集和哈佛结构,利用IP核复用技术,完成了农业物联网专用处理器SoC片上系统的架构设计,主要包括1个CPU内核和5个外设IP核（混合信号环形振荡器、混合信号增强处理时钟发生器锁相环、晶体振荡器、混合信号增强处理8通道ADC和LDO低压差线性稳压电路）。（3）实现了农业物联网专用处理器AASP1.0硬件SoC芯片。进行了 RTL设计、仿真验证、芯片前端设计、版图设计和流片验证等;农业物联网专用处理器主要包括32个GPIO 口,8路AD,通过PWM方式实现了数字模拟转换器DAC功能;采用内置ROM和外置FLASH实现固件的存储;采用了成本较低的SMIC 0.18 μm Mixed Signal工艺流片。（4）完成了农业物联网专用处理器芯片AASP1.0的测试。设计并实现了农业物联网专用处理器芯片AASP1.0测试电路与应用电路。针对AASP1.0的功耗、串口通信、应用程序烧写、通用I/O管脚等功能进行了测试,并实现了应用电路系统,验证了农业物联网专用处理器芯片的功能和性能。测试结果表明,AASP1.0处理器达到了设计要求。（5）提出了农业物联网专用处理器芯片应用模式下图像处理轻量级深度神经网络应用方法。为了实现农业物联网专用处理器应用模式中信息获取、存储、传输、处理与分析以及信息安全所需图像处理功能,分析了轻量级深度神经网络模型SqueezeNet所需计算量与存储空间,在小数据集训练时进行了微调,并成功迁移至农业图像分类中。综上所述,在AASP1.0硬件实现过程中,论文采用正向设计方法,从RTL源代码开始,芯片还可扩充不同的模块,如安全模块、图像处理模块等扩展模块,且可灵活配置存储容量,具备了可扩展性和灵活性,实现了核心技术的自主可控,确保了信息安全的实现成为可能。
程翼胜[5]（2018）在《基于FPGA的SoC芯片IP子系统原型验证》文中指出由于片上系统（System on Chip,SoC）芯片大规模的IP核（Intellectual Property core）复用,使得芯片架构变得非常复杂,同时也导致芯片验证的难度也不断加大,因此芯片验证研究工作具有十分重要的意义。目前比较常用的是软件仿真的验证方法,但是软件仿真都是在理想环境下验证,对于一些延时等隐藏的问题很难被发现。而现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array,FPGA）原型验证是在更接近芯片真实硬件环境下进行的软硬件协同验证,它能最大限度地还原出芯片的应用场景,更加快速地找出芯片中的隐藏问题。因此,更多的芯片厂商在芯片流片前进行FPGA原型验证,以提高流片成功率。本文面向中国科学院计算技术研究所正在研究的卫星终端基带SoC芯片,采用FPGA原型验证技术对其IP子系统进行功能验证。主要工作包含以下三个方面:1.ASIC（Application Specific Integrated Circuit,专用集成电路）代码到FPGA代码的移植由于ASIC环境与FPGA环境在物理电路结构不同,采用FPGA原型验证技术对SoC芯片进行验证时,需要将ASIC环境下的代码替换为FPGA环境下的代码。2.基于FPGA的SoC芯片IP子系统功能仿真验证根据SoC芯片IP子系统的架构特点搭建仿真验证环境,利用Makefile脚本完成工程的自动化编译,提高验证效率,并对IP子系统各个模块进行FPGA功能仿真验证,主要研究验证过程中各个模块测试向量的设计与实现。3.IP子系统的FPGA板级验证使用StarFire-DC820 FPGA验证板搭建FPGA原型验证平台,在实现FPGA原型验证版本的过程中,为了提高综合实现效率,采用TCL脚本配置仿真工具自动执行整个综合实现过程,替代图形用户界面完成设计代码的综合、翻译、映射、布局布线工作,并对IP子系统进行FPGA板级验证,真实还原IP子系统应用场景,即语音的播放与录音功能。
刘国荣[6]（2017）在《基于单晶AlN薄膜的FBAR制备研究》文中研究指明随着无线通信技术的迅速发展,传统的滤波器已无法满足射频前端高频化、微型化、集成化的要求。薄膜体声波谐振器（FBAR）以其优异的性能,如体积小、损耗低、功率容量大、可集成等优势,被认为是目前最佳的滤波器解决方案。同时,由于其具有灵敏度高、功耗低、响应快等特点,在传感测控领域也有广阔的应用前景。目前,FBAR技术的发展趋于成熟,其器件性能的提升主要受到关键膜层材料特性的制约。而国内由于对FBAR的研究起步相对较晚,实现FBAR器件的自主生产仍面临着较大的挑战。因此,本论文的目标在于研究压电薄膜材料特性对FBAR器件性能的影响,并开发自主知识产权的器件工艺。研究内容包括模拟仿真FBAR各膜层材料物理参数对器件性能的影响,结合仿真和实测结果阐述单晶AlN薄膜作为压电层的优势,在此基础上提出与高质量单晶Al N薄膜外延工艺相兼容的FBAR器件工艺路线,最终实现器件制备与电学性能测试。从模拟仿真、材料制备、器件工艺和测试这四个方面展开了系统的研究工作,研究成果和创新点如下:首先建立复合结构FBAR的物理层模型,运用ADS（Advanced Design System）软件仿真得到FBAR各膜层材料物理参数(压电薄膜的C33E、eZ3、ρ、εzzS和电极c11、ρ)对器件FOM、keff2、Q的影响规律,并解释了其影响机理;提出了PLD外延生长高质量单晶AlN薄膜的优化工艺,结合仿真结果和样品实测情况论证了单晶AlN薄膜作为压电层的优势;创新性地提出了与Al N外延工艺相兼容的FBAR器件工艺路线,该工艺路线的核心在于转移衬底获得空腔,从而形成电极包夹的复合结构;在对器件关键性工艺难题探究的过程中,解决了基于正胶的lift-off工艺图形转移精度问题,实现了AlN薄膜与Si的高强度键合,研究了制备硅坑和释放AlN薄膜生长衬底的深硅刻蚀工艺,实现了AlN薄膜通孔的高速刻蚀;最后,通过矢量网络分析仪测试得到了器件的响应特性曲线,证明了本论文器件工艺路线的可行性。
蔡文辉[7]（2016）在《Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7的磁致磁相变及其薄膜交换偏置效应的研究》文中认为磁性材料作为最古老的功能材料之一,在当今科技有着广泛的应用价值,例如,对电子、电子工业、国防建设的发展和人们日常生活水平的提高都有着巨大的影响。钙钛矿锰氧化物因其独特的电荷轨道有序、结构相分离、各向异性和电输运性质等丰富的物理现象而受到人们的广泛关注,尤其是其中的电荷/轨道有序成为近年来关注的焦点。在这类材料中,在低温以及应用磁场条件下,由电荷/轨道有序诱发的磁相变可以实现反铁磁电荷轨道有序绝缘相到铁磁金属相的转变,其中还伴随着低磁场下,该类相分离材料中铁磁成分的增加来实现。同时,处于相分离态的单一LaxSr1-x O3层由于具有比奈尔温度TN高的居里温度TC;因此可以被看成为最简单的交换偏置系统。因此,本文选取了双层钙钛矿锰氧化物Pr（Sr0.1Ca0.9）2Mn2O7（PSCMO）,研究了外加磁场对该材料磁特性的影响以及该材料薄膜中的交换偏置现象;为进一步研究宏观调控该材料中的交换偏置效应提供了实验数据以及理论指导。主要研究内容和结果包括以下几个方面:1.采用溶胶-凝胶法成功的合成了单相的双层钙钛矿锰氧化物Pr（Sr0.1Ca0.9）2Mn2O7块材,由XRD分析可知,该样品结构为空间群为Am2m的正交结构。在无外加磁场的作用时,该样品低温下呈现出了反铁磁相为主类团簇玻璃态,冻结温度为41K;其电阻呈现出了半导体或绝缘特性。而在低温3K的M-H测量中发现,当外加磁场增加到5.7T时,磁化强度产生了一个很明显的磁跳变现象;进一步对该材料进行低温磁特性的研究中发现,随着低温5K下外加3和5T磁场的应用,该块材在该温度下的磁化强度逐渐增加到磁场应用前的5倍与28倍;而低温5K下经过7T外加磁场的应用后,其磁化强度增加到了150倍;由此可见,外加5.7T磁场诱发磁跳变的主要原因是在该材料中产生了反铁磁为主的团簇玻璃态向铁磁相为主的磁相变。2.运用Kr F激光通过脉冲激光沉积技术（PLD）,在Pt/Ti/Si O2/Si基底上成功的合成了PSCMO薄膜,采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜来表征PSCMO薄膜的微观结构。实验结果表明,薄膜为单相的多晶PSCMO薄膜,并且薄膜是垂直于表面呈柱状生长的,而且厚度为900nm。同时,带不同磁场降温后,在5K时测量了该薄膜材料的M-H曲线,进一步研究了该薄膜材料带场下的交换偏置效应。发现该薄膜在带场下测得的交换偏置是关于y轴对称的上下移动的交换偏置,2000Oe外加磁场下,5K处得到的交换偏置达到:3.0×10-6emu,并且这种交换偏置随着磁场的增加而逐渐增大;而随着温度升高,交换偏置逐渐减少,在60K以后逐渐消失。结合PSCMO材料块材的磁特性的研究,我们推断出该薄膜内,铁磁相与反铁磁相共存,以及两相在薄膜中的含量是该薄膜样品产生交换偏置的主要原因。
周庆瑞,孟松,宋坚,马骏[8]（2014）在《航天微系统技术综述》文中认为航天微系统技术包括专用集成电路（ASIC）、片上系统（SoC）、单片微波集成电路（MMIC）、混合集成电路（HIC）等微电子技术和微机电系统（MEMS）。文章介绍了这几种技术的特点、发展现状,以及在航天中的应用情况和应用前景。ASIC与SoC技术可显着提高电子系统的集成度和性能,已在航天中得到广泛应用。MMIC技术可用于航天器通信载荷和平台的射频通信部件,已在欧美航天器中大量应用,目前正朝高频段发展。HIC主要包括厚膜HIC和薄膜HIC,特别适于功率器件和微波器件的集成,目前国外已有大量产品用于航天,如"国际空间站"（ISS）。MEMS技术可用于航天器导航、热控、推进、光学遥感与通信等系统,甚至可对航天器设计方法产生重要影响,但目前还处于起步阶段。在以上技术领域,我国虽已开展了一些研究,但与国外相比还存在较大差距。文章针对航天微系统技术的产业布局、发展方式等提出了建议,可为我国的发展规划和战略决策提供参考。
熊辉[9]（2013）在《基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究》文中研究表明随着世界信息化技术的迅速发展，新型半导体材料取得了重大的进展，也促进了各种光电技术的飞速发展。由于光电子器件潜在的巨大市场，使得宽禁带半导体材料成为研究的重点。氧化锌（ZnO）薄膜作为一种宽禁带、光学透明的薄膜，可以制作太阳能电池的透明电极；另外，ZnO薄膜激子束缚能高，在室温下可以实现光的受激发射，可以方便制作紫外激光器，因此，ZnO薄膜材料在制作光电器件方面有着巨大的应用前景。另外，ZnO原料易得、价廉、毒性小，是最有开发潜力的光电薄膜材料之一。ZnO薄膜一般是采用异质外延的方式获得，晶体质量有待提高。由于III-V族AlN、GaN和II-VI族ZnO都是六角密排结构，晶格常数相近，因此，AlN和GaN都可以作为ZnO材料生长的缓冲层，通过降低与衬底材料的晶格失配来提高ZnO材料的晶体质量。因此，如何生长出高质量的AlN、GaN缓冲层，以及如何利用缓冲层提高ZnO薄膜质量一直是国际研究的热点。ZnO基材料与器件的研究工作大多是在极性面（c面）材料上开展的。ZnO材料在常温下具有稳定的纤锌矿结构，不具有中心反演对称性，导致ZnO及其异质结在c方向具有很强的自发极化和压电极化效应。为了消除极化效应对器件发光波长及发光效率的影响，最根本方法是以非极性面AlN、GaN作为缓冲层来生长非极性面ZnO薄膜及其异质结构。目前生长高质量的非极性面GaN、ZnO材料正成为国际上宽禁带半导体领域的研究热点之一，美国、日本、欧洲等多个研究小组一直从事于这一领域的研究。本论文使用蓝宝石衬底，将AlN及GaN作为中间过渡层，采用脉冲激光沉积法（PLD）及磁控溅射等方法分别在其极性面c面和非极性面a面上生长出了高质量ZnO薄膜，对生长工艺及生长条件进行了深入研究，并对材料表面形貌及晶体质量进行分析。具体分为以下三部分：（1）采用缓冲层插入技术，优化成核层的生长参数，在蓝宝石衬底上利用MOCVD技术生长出了高质量的极性面c面AlN和非极性面a面GaN薄膜。（2）采用磁控溅射方法，在高质量非极性面a面GaN模板上生长非极性面ZnO薄膜。通过改变主要生长参数，利用各类测试手段对生长的非极性面ZnO进行表征，对比研究在非极性面a面GaN上生长高质量非极性面ZnO的最佳条件。（3）采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在高质量极性面c面AlN模板上生长极性面c面ZnO薄膜，研究最佳生长条件。其次，采用在蓝宝石表面镀镍作为缓冲层生长ZnO薄膜的方法生长高质量ZnO薄膜，降低工艺难度。最后，研究了非极性面a面GaN上生长高质量非极性面ZnO薄膜的优化条件。本文主要获得了以下有意义和有创新性的研究结果：（1）通过在低温成核层上混合使用脉冲原子层外延（PALE）和高温连续生长两种方法进行高质量AlN的MOCVD生长。这种方法既调控低温成核密度以降低位错密度，又能以较高速率进行高晶体质量AlN外延生长，同时通过对MOCVD生长条件的优化来调节应力和抑制位错，得到的AlN薄膜表面平整光滑，其表面均方根粗糙度（RMS）为1.4nm同时高分辨X射线衍射仪（HRXRD）测试结果表明其（002）和（102）面半高宽（FWHM）分别为82arcsec和575arcsec。（2）基于磁控溅射技术，采用晶格匹配度高的a-GaN/r-Al2O3作为模板，进行非极性a面ZnO薄膜生长。比较研究结果表明，同直接在r-Al2O3衬底外延的ZnO薄膜质量相比，在a-GaN/r-Al2O3模板更容易获得a面取向的ZnO薄膜。测试结果表明当生长温度为300℃时，ZnO薄膜的结晶性能最好，其高分辨X射线衍射仪的FWHM为0.51°（1836arcsec）。（3）采用PLD，研究了AlN缓冲层厚度对极性面ZnO质量的影响。研究结果表明，在c面蓝宝石衬底上进行极性面ZnO薄膜生长时，AlN作为缓冲层可以提高晶体成核密度。而且当AlN缓冲层的厚度为150nm时，采用PLD生长ZnO薄膜的结晶性能最好，其高分辨X射线衍射仪的FWHM为0.09°（324arcsec）。此外，以a-GaN/r-Al2O3作为模板，采用PLD优化了非极性面ZnO材料的生长，优化后ZnO薄膜高分辨X射线衍射仪的FWHM为0.28°（1008arcsec），其质量高于采用磁控溅射生长的非极性面ZnO薄膜。
徐云厚[10]（2013）在《可编程逻辑器件测试系统》文中研究表明随着可编程器件（PLD）的应用越来越广泛,可编程器件的测试技术也越来越受到重视,很多的单位和个人加入到芯片测试这一领域,有力地推动了芯片测试技术的发展。由于可编程器件的电路规模大、结构复杂,高覆盖率的自动化测试一直是可编程器件设计与生产上的难点,同时测试一种可编程器件结构需要大量的时间设计测试方案,测试成本较高。目前国内外针对不同场合的PLD测试系统的研究取得了很多成果,实现了大量可以实用的测试系统,这些测试系统大致可以分为两大类：首先是基于自主研制的测试系统,一般由上位机软件、通信电缆、控制电路以及待测PLD组成；其次是基于自动化测试设备（Automatic Test Equipment, ATE）的测试系统,使用ATE平台研发的测试系统则由ATE来完成自主研制测试系统中上位机软件和控制电路的功能,只需ATE和待测PLD即可完成测试。ATE可以一次完成待测PLD的多次配置与测试,从而减少了人工操作,提高了PLD的测试效率,便于实现PLD的制造测试。基于ATE的测试平台,效率高,功能强大,但是ATE高昂的价格不是一般单位和个人所能承受的,因此本文所研究的是一款属于自主研制的测试系统。本测试系统以Lattice公司的一款CPLD芯片IsPLsi1032E为主要研究对象,在详细研究CPLD内部结构的基础上,基于“分治法”的基本思路,采用三次“配置+测试”,对该芯片可能出现的故障和基本性能指标予以测试,配置次数少,效率较高,测试结果符合要求,性价比较高。本测试系统也是由上位机软件、通信电缆、控制电路以及待测PLD组成。上位机软件发送相应的测试命令,通过通信电缆传送给控制电路,控制电路根据上位机命令控制相应继电器通断,发送测试向量,然后接收测试响应并通过通信电缆返回给上位机,上位机接收到测试响应进行分析、显示,一次“配置+测试”完成。该测试系统控制灵活且针对性强,比较适合研究和验证。本论文就是在此基础上完成的,主要内容分为五章进行阐述。第一章为绪论,这部分首先介绍了可编程逻辑器件测试系统的背景,接着介绍了可编程逻辑器件在数字电路设计方面具有的优势及其进一步的发展趋势、几种流行测试的方法,最后介绍了国外在可编程器件测试系统领域所取得的成果及国内有关可编程逻辑器件发展的现状以及本测试系统所做的主要工作；第二章为测试系统总体方案设计,首先对本测试系统进行总体概述,其次是测试的基本原理,主要是本测试系统从哪些方面进行展开及测试的基本过程；第三章为系统硬件设计,首先主要介绍了主要芯片及测试板主控部分各个模块的功能设计,其次简要介绍了待测芯片及待测部分电路各个模块的设计；第四章为系统软件设计,软件部分主要包括可编程器件逻辑功能的设计和上位机软件的设计。首先介绍了可编程逻辑器件设计语言的选择,接着介绍了主控芯片和待测芯片的软件开发平台及其各自逻辑功能的实现,最后介绍了上位机软件开发平台的选择以及上位机软件各项功能的实现；第五章为IspLsi1032E测试系统的总体实现,本章为测试系统的关键部分,首先主要介绍了复杂可编程逻辑器件CPLD,接着对本测试系统所要测试的待测CPLD的内部结构进行了详细分析并提出基本测试思路以及测试的基本操作流程,最后详细介绍了系统的测试步骤,并对所用算法进行了说明,第六章为结论与展望,首先对本人研究生阶段完成的工作进行总结,最后对本测试系统的进一步改进从软件和硬件两方面提出自己的意见。
二、从ASIC到PLD:半导体技术市场趋势展望（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、从ASIC到PLD:半导体技术市场趋势展望（论文提纲范文）
（1）LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 LFMCW雷达技术背景与集成化发展趋势 |
| 1.2 国内外应用与发展现状 |
| 1.2.1 国外发展进程 |
| 1.2.2 国内发展进程 |
| 1.3 主要工作安排 |
| 1.4 本文章节内容安排 |
| 第二章 LFMCW雷达工作原理和信号处理架构 |
| 2.1 LFMCW雷达系统的组成 |
| 2.2 LFMCW雷达调制信号与原理分析 |
| 2.2.1 距离速度耦合问题 |
| 2.2.2 单周期三角波调频原理与信号分析 |
| 2.2.3 多周期三角波信号的分析 |
| 2.3 信号处理结构设计 |
| 2.3.1 整体信号处理结构 |
| 2.3.2 脉冲累计分析 |
| 2.3.3 MTI滤波器设计 |
| 2.3.4 MTD滤波器设计 |
| 2.3.5 二维CFAR设计 |
| 2.3.6 多目标的频率匹配 |
| 2.4 章节总结 |
| 第三章 雷达信号处理块的硬件结构设计 |
| 3.1 硬件设计的简要介绍 |
| 3.1.1 顶层框架结构 |
| 3.1.2 硬件工作流程解析 |
| 3.1.3 流水线技术延伸 |
| 3.2 雷达信号处理单元的分层框架 |
| 3.2.1 信号采集与FFT变换部分 |
| 3.2.2 MTI滤波与脉冲累计部分 |
| 3.2.3 多通道MTD与取模部分 |
| 3.2.4 二维恒虚警处理部分 |
| 3.2.5 多目标频率匹配部分 |
| 3.2.6 HDL的仿真与验证 |
| 3.3 章节总结 |
| 第四章 ASIC的设计与实现 |
| 4.1 ASIC设计流程简介 |
| 4.1.1 设计流程 |
| 4.1.2 工艺库简介 |
| 4.1.3 EDA环境简介 |
| 4.2 时序约束与逻辑综合 |
| 4.2.1 综合基础简介 |
| 4.2.2 时序路径约束 |
| 4.2.3 综合结果 |
| 4.3 低功耗门控时钟设计 |
| 4.3.1 低功耗设计基础 |
| 4.3.2 ICG门控结构 |
| 4.3.3 门控插入与覆盖率检查 |
| 4.4 简单STA分析 |
| 4.4.1 静态时序分析基础 |
| 4.4.2 关键时序路径解析与最大时钟频率的计算 |
| 4.5 形式验证 |
| 4.5.1 形式验证基础简介 |
| 4.5.2 RTL与网表的形式验证报告 |
| 4.6 物理设计实现 |
| 4.6.1 物理设计工作流程与基础简介 |
| 4.6.2 Floorplan设计 |
| 4.6.3 Placement设计 |
| 4.6.4 CTS设计 |
| 4.6.5 Routing设计 |
| 4.6.6 Layout完成 |
| 4.7 章节总结 |
| 第五章 板级原型验证平台的设计与测试 |
| 5.1 原型验证 |
| 5.2 板级系统组成 |
| 5.2.1 方案总览 |
| 5.2.2 收发机与三角LFM波产生电路 |
| 5.2.3 A/D采样电路 |
| 5.2.4 信号处理模块 |
| 5.3 原型板展示与测试 |
| 5.3.1 验证板展示 |
| 5.3.2 测试结果 |
| 5.4 章节总结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 改进与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）二维TMDs基光探测器性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 二维材料与过渡金属硫属化物 |
| 1.2 二硒化钨 |
| 1.2.1 二硒化钨的晶体结构和物理性质 |
| 1.2.2 二硒化钨的制备方法 |
| 1.3 光探测器 |
| 1.3.1 TMDs基光探测器 |
| 1.3.2 光探测器的机理及主要参数 |
| 1.4 选题和创新点 |
| 第2章 材料表征及器件测试方法 |
| 2.1 材料表征方法 |
| 2.1.1 光学显微镜 |
| 2.1.2 拉曼光谱 |
| 2.1.3 光致发光光谱 |
| 2.1.4 扫描电子显微镜 |
| 2.1.5 透射电子显微镜 |
| 2.1.6 原子力显微镜 |
| 2.2 器件测试方法 |
| 第3章 基于脉冲激光沉积技术的光探测器应用 |
| 3.1 无机金属氧化物光探测器 |
| 3.1.1 氧化锌光探测器 |
| 3.1.2 Zn_(1-x)Mg_xO光探测器 |
| 3.1.3 β-氧化镓,二氧化钛光探测器 |
| 3.1.4 InGaZnO、In_2O_3/In_2(TeO_3)_3 光探测器 |
| 3.2 二维范德华力材料光探测器 |
| 3.2.1 过渡金属硫化物光探测器 |
| 3.2.2 ⅢA-ⅥA族化合物光探测器 |
| 3.2.3 拓扑绝缘体光探测器 |
| 3.2.4 ⅣA-ⅥA族化合物光探测器 |
| 3.2.5 钙钛矿光探测器 |
| 3.3 其他材料光探测器 |
| 3.3.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物光探测器 |
| 3.3.2 Ⅳ族材料光探测器 |
| 3.3.3 其他材料光探测器 |
| 3.4 小结和展望 |
| 第4章 二硒化钨光探测器 |
| 4.1 二硒化钨的制备及表征 |
| 4.1.1 二硒化钨的制备 |
| 4.1.2 二硒化钨的表征 |
| 4.2 光探测器的组装 |
| 4.2.1 电极衬底的制备 |
| 4.2.2 器件的组装 |
| 4.3 光探测器测试结果及分析 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 指导教师对研究生学位论文的学术评语 |
| 答辩委员会决议书 |
| 致谢 |
| 硕士攻读期间的研究成果 |
（3）电力电缆故障诊断中信号检测与增强技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 电缆故障检测国内外发展状况 |
| 1.2.1 电缆故障检测 |
| 1.2.2 电缆故障检测发展趋势 |
| 1.3 信号增强技术的研究 |
| 1.3.1 信号增强的目的及意义 |
| 1.3.2 噪声信号的分类及特性 |
| 1.3.3 信号增强技术的发展现状 |
| 1.4 本文研究的意义 |
| 1.5 本文研究内容 |
| 第二章 基于EMD滤波的电缆故障信号检测 |
| 2.1 行波测距理论 |
| 2.1.1 电缆模型及行波测距 |
| 2.1.2 行波测距关键问题 |
| 2.2 数字滤波 |
| 2.2.1 数字信号分析 |
| 2.2.2 经验模态分解滤波 |
| 2.3 故障检测信号的EMD分析 |
| 2.4 故障检测信号的EMD滤波 |
| 2.4.1 有用信号与噪声主导信号分界点的确定 |
| 2.4.2 噪声主导分量中有用信号的提取与重构 |
| 2.5 实验验证 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 基于EMD的五阶收敛ICA电缆路径检测信号提取技术 |
| 3.1 电缆路径检测 |
| 3.1.1 电缆路径检测 |
| 3.1.2 电缆路径探测仪传感器设计 |
| 3.1.3 传感器参数仿真 |
| 3.2 电缆路径检测信号提取 |
| 3.2.1 数字信号分析 |
| 3.2.2 独立分量分析 |
| 3.3 改进的独立分量分析 |
| 3.3.1 基于收敛因子的独立分量分析 |
| 3.3.2 基于收敛因子的五阶迭代ICA |
| 3.4 基于EMD的五阶收敛ICA |
| 3.5 算法验证 |
| 3.6 现场实验验证 |
| 3.6.1 电缆路径仪测电缆埋深实验 |
| 3.6.2 电缆路径仪判断方向实验 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 基于小波分析及遗传优化的冲击放电增强技术 |
| 4.1 冲击放电信息的产生 |
| 4.2 冲击放电信号增强 |
| 4.2.1 小波分析理论 |
| 4.2.2 连续小波与离散小波 |
| 4.2.3 Mallat算法 |
| 4.2.4 小波包分析 |
| 4.3 基于小波分析及遗传优化的信号增强技术 |
| 4.3.1 小波包分解对冲击放电声音信号的提取 |
| 4.3.2 遗传算法设计 |
| 4.3.3 基于小波分析及遗传优化的信号增强算法 |
| 4.4 算法验证 |
| 4.5 现场实验验证 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 ne-TCGA硬件演化算法 |
| 5.1 演化硬件与演化算法 |
| 5.1.1 演化硬件 |
| 5.1.2 演化算法 |
| 5.2 ne-TCGA算法 |
| 5.3 ne-TCGA与 CGA、TCGA的算法验证 |
| 5.4 ne-TCGA在演化硬件中的应用 |
| 5.4.1 自演化系统的硬件设计 |
| 5.4.2 自演化系统的验证 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 主要研究内容 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）农业物联网专用处理器芯片设计研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状分析 |
| 1.3 研究目标与研究内容 |
| 1.4 技术路线与论文组织结构 |
| 第二章 农业物联网专用处理器总体设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 应用模式分析 |
| 2.3 设计目标和原则 |
| 2.4 设计流程 |
| 2.5 农业物联网专用处理器总体规划 |
| 2.6 小结 |
| 第三章 农业物联网专用处理器架构研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 指令集与架构分析 |
| 3.3 农业物联网专用处理器架构设计 |
| 3.4 农业物联网专用处理器系统模块 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 农业物联网专用处理器芯片硬件实现 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 功耗分析 |
| 4.3 IP核复用 |
| 4.4 FPGA验证 |
| 4.5 综合与版图 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 农业物联网专用处理器芯片测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 农业物联网专用处理器测试系统设计 |
| 5.3 农业物联网专用处理器芯片测试结果 |
| 5.4 与同类型芯片比较分析 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 农业物联网专用处理器芯片应用研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 农业物联网专用处理器芯片应用电路系统 |
| 6.3 农业物联网专用处理器芯片图像处理扩展应用研究 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
| 附录1: 仿真报告 |
| 附录2: 综合报告 |
| 附录3: 农业物联网专用处理器芯片版图 |
| 附录4: 农业物联网专用处理器芯片管脚定义 |
| 附录5: 功能测试代码 |
| 附录6: 农业物联网专用处理器指令集 |
| 附录7: 农业物联网专用处理器内核数据通路 |
| 附录8: 验收报告 |
（5）基于FPGA的SoC芯片IP子系统原型验证（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 注释表 |
| 第1章 引言 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 FPGA原型验证研究的现状 |
| 1.3 论文的主要内容和章节安排 |
| 第2章 SoC芯片架构及验证技术分析 |
| 2.1 SoC芯片架构 |
| 2.2 芯片功能验证技术概述 |
| 2.2.1 静态验证技术 |
| 2.2.2 仿真验证方法 |
| 2.2.3 基于FPGA的原型验证 |
| 2.3 IP子系统验证方案的选取 |
| 2.4 IP子系统FPGA原型验证流程 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 ASIC到 FPGA代码的移植 |
| 3.1 PLL替换 |
| 3.2 门控时钟替换 |
| 3.3 存储单元替换 |
| 3.4 PAD的处理 |
| 3.5 代码辅助管理 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 IP子系统FPGA功能仿真验证 |
| 4.1 搭建FPGA原型功能仿真验证平台 |
| 4.1.1 验证工具介绍 |
| 4.1.2 FPGA仿真验证平台的建立 |
| 4.1.3 搭建仿真验证环境目录 |
| 4.1.4 FPGA功能仿真步骤 |
| 4.1.5 仿真脚本的编写说明 |
| 4.2 IP子系统UART模块 |
| 4.2.1 模块分析 |
| 4.2.2 验证思路分析 |
| 4.2.3 软件方案设计 |
| 4.2.4 仿真波形分析 |
| 4.3 IP子系统I2C模块 |
| 4.3.1 模块分析 |
| 4.3.2 验证思路分析 |
| 4.3.3 软件方案设计 |
| 4.3.4 仿真波形分析 |
| 4.4 IP子系统DMA控制器 |
| 4.4.1 模块分析 |
| 4.4.2 验证思路分析 |
| 4.4.3 软件方案设计 |
| 4.4.4 仿真波形分析 |
| 4.5 IP子系统SDIO模块 |
| 4.5.1 模块分析 |
| 4.5.2 验证思路分析 |
| 4.5.3 软件方案设计 |
| 4.5.4 仿真波形分析 |
| 4.6 IP子系统IIS模块 |
| 4.6.1 模块分析 |
| 4.6.2 验证思路分析 |
| 4.6.3 软件方案设计 |
| 4.6.4 仿真波形分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 IP子系统FPGA板级验证 |
| 5.1 FPGA原型硬件平台资源 |
| 5.1.1 StarFire-DC820 FPGA验证板 |
| 5.1.2 TLV320AIC3106 Codec芯片 |
| 5.2 FPGA原型硬件平台的搭建 |
| 5.3 FPGA综合实现环境 |
| 5.3.1 综合实现环境的设计 |
| 5.3.2 综合实现环境的实现 |
| 5.4 IP子系统板级验证 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结束语 |
| 6.1 主要工作 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 |
（6）基于单晶AlN薄膜的FBAR制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.1.1 无线通信系统的发展对射频器件的要求 |
| 1.1.2 传统的滤波器解决方案及不足之处 |
| 1.1.3 FBAR技术 |
| 1.1.4 FBAR技术与传统滤波器技术的对比 |
| 1.2 FBAR的基本结构 |
| 1.2.1 FBAR的结构要求 |
| 1.2.2 体硅刻蚀型FBAR |
| 1.2.3 空腔型FBAR |
| 1.2.4 固态装配型FBAR |
| 1.3 FBAR的材料选择 |
| 1.3.1 压电材料的选择 |
| 1.3.2 电极材料的选择 |
| 1.4 FBAR滤波器的国内外研究进展 |
| 1.5 FBAR发展的技术瓶颈及本论文的创新 |
| 1.6 论文的章节安排 |
| 第二章 FBAR的仿真设计分析 |
| 2.1 FBAR的电学阻抗 |
| 2.2 FBAR的关键器件性能指标 |
| 2.2.1 品质因数Q |
| 2.2.2 有效机电耦合系数k_(eff)~2 |
| 2.3 基于ADS的FBAR的仿真模型建立 |
| 2.3.1 FBAR的普适等效电路模型 |
| 2.3.2 FBAR仿真模型建立 |
| 2.4 FBAR的电学性能仿真 |
| 2.4.1 压电薄膜夹持介电常数ε_(ZZ)~S的影响 |
| 2.4.2 压电薄膜压电应力常数e_(Z3)的影响 |
| 2.4.3 压电薄膜短路弹性劲度常数C_(33)~E的影响 |
| 2.4.4 压电薄膜密度ρ的影响 |
| 2.4.5 电极弹性劲度常数c_(11)的影响 |
| 2.4.6 电极密度ρ的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于单晶ALN薄膜的FBAR工艺设计 |
| 3.1 单晶ALN薄膜的PLD外延制备 |
| 3.1.1 在Si上PLD外延AlN的生长机理 |
| 3.1.2 PLD外延生长Al N的实验与表征 |
| 3.2 空腔结构FBAR的主流制备工艺 |
| 3.2.1 下凹型空腔结构FBAR的制备 |
| 3.2.2 上凸型空腔结构FBAR的制备 |
| 3.3 基于单晶ALN薄膜的FBAR工艺方案设计研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于单晶ALN薄膜的FBAR器件实现与测试 |
| 4.1 FBAR器件结构版图设计 |
| 4.1.1 FBAR器件结构设计 |
| 4.1.2 光刻掩膜版设计 |
| 4.2 FBAR器件关键工艺技术研究 |
| 4.2.1 工艺风险评估 |
| 4.2.2 几个关键工艺研究 |
| 4.3 基于单晶ALN薄膜的FBAR成品测试分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7的磁致磁相变及其薄膜交换偏置效应的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 钙钛矿锰氧化物简介 |
| 1.1.1 钙钛矿锰氧化物的研究现状及发展 |
| 1.1.2 钙钛矿锰氧化物的晶体结构 |
| 1.2 双层钙钛矿锰氧化物 |
| 1.2.1 双层钙钛矿锰氧化物的晶体结构 |
| 1.2.2 双层钙钛矿的研究现状 |
| 1.3 交换偏置效应 |
| 1.3.1 交换偏置现象 |
| 1.3.2 薄膜体系交换偏置的研究进展 |
| 1.3.3 纳米体系交换偏置的研究进展 |
| 1.3.4 锰氧化物交换偏置的研究进展 |
| 2 薄膜的制备过程及表征设备介绍 |
| 2.1 脉冲激光沉积法制备薄膜的过程介绍 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积介绍[50-52] |
| 2.1.2 PSCMO薄膜的制备过程介绍 |
| 2.2 晶体结构及微观形貌的表征方法[57] |
| 2.2.1 晶体结构的表征方法 |
| 2.2.2 微观形貌的表征方法 |
| 2.3 磁性测试系统 |
| 2.3.1 振动样品磁强计选件(Vibrating Sample Magnetometer简称VSM) |
| 2.3.2 交流磁化率选件(AC Magnetometry System，简称ACMS ) |
| 2.3.3 电输运测量选件：直流电阻率(DC Resistivity) |
| 3 PSCMO块材的磁致磁相变 |
| 3.1 PSCMO块材的制备和表征 |
| 3.1.1 引言 |
| 3.1.2 PSCMO块材的制备 |
| 3.1.3 PSCMO块材的XRD表征 |
| 3.2 块材的磁学性能和电阻测量 |
| 3.2.1 块材的磁学性能表征 |
| 3.2.2 块材的电阻测量值 |
| 3.2.3 PSCMO的磁致磁相变 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 PSCMO薄膜的制备和表征 |
| 4.1 PSCMO薄膜的制备和表征 |
| 4.1.1 PSCMO薄膜的制备 |
| 4.1.2 PSCMO薄膜的表征 |
| 4.2 PSCMO薄膜的磁性测量 |
| 4.2.1 薄膜的室温磁学特性测量 |
| 4.2.2 薄膜低温带场下的交换偏置效应 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 展望和建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 |
（8）航天微系统技术综述（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 航天微系统技术 |
| 2.1 ASIC技术 |
| 2.2 SoC技术 |
| 2.3 MMIC技术 |
| 2.4 HIC技术 |
| 2.5 MEMS技术 |
| 2.6 小结 |
| 3 对我国航天微系统技术发展的思考与建议 |
| 3.1 存在问题 |
| 3.2 建议 |
（9）基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 ZnO 材料的晶体结构和基本性质 |
| 1.3 ZnO 薄膜材料研究进展 |
| 1.4 非极性面 ZnO 薄膜的研究现状和意义 |
| 1.5 本论文的选题依据、内容及结构安排 |
| 2 GaN/AlN 材料特征及薄膜表征方法 |
| 2.1 缓冲层材料选择 |
| 2.2 AlN/GaN 材料的晶体结构和性质 |
| 2.3 薄膜表征技术 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 MOCVD 生长 GaN/AlN 薄膜研究 |
| 3.1 薄膜生长原理分析 |
| 3.2 MOCVD 系统工作原理 |
| 3.3 高温连续法外延 AlN 模板 MOCVD 生长研究 |
| 3.4 AlN 模板生长极性面 GaN 薄膜研究 |
| 3.5 不同缓冲层上生长非极性面 a-GaN 薄膜研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 磁控溅射法生长非极性面 ZnO 薄膜研究 |
| 4.1 磁控溅射系统工作原理 |
| 4.2 a-GaN 模板上生长非极性面 ZnO 薄膜研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 脉冲激光沉积（PLD）法生长 ZnO 薄膜研究 |
| 5.1 脉冲激光沉积系统工作原理 |
| 5.2 优化 AlN 缓冲层厚度生长高质量极性面 ZnO 薄膜研究 |
| 5.3 衬底表面镀镍方法生长极性面 ZnO 薄膜研究 |
| 5.4 a-GaN 模版上生长非极性面 ZnO 薄膜研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 全文总结与展望 |
| 6.1 本论文工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录 |
（10）可编程逻辑器件测试系统（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 国内外研究动态 |
| 1.3 主要工作及内容安排 |
| 第2章 测试系统总体方案设计 |
| 2.1 测试系统的总体结构概述 |
| 2.2 测试的基本原理 |
| 2.3 通信接口及上位机软件选择 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 系统硬件设计 |
| 3.1 IspLsi1032测试板主控部分设计 |
| 3.2 IspLsi1032测试板被测部分设计 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 系统软件设计 |
| 4.1 可编程逻辑器件设计语言 |
| 4.2 可编程逻辑器件逻辑功能设计 |
| 4.3 上位机软件设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 IspLsi1032E测试系统的实现 |
| 5.1 复杂的可编程逻辑器件CPLD |
| 5.2 CPLD器件IspLsi1032E |
| 5.3 测试内容及基本流程 |
| 5.4 测试步骤及算法分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 工作结论 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
| 附录 |
| 附录1 IspLsi1032E测试板部分原理图 |
| 附录2 IspLsi1032E测试板 |
四、从ASIC到PLD:半导体技术市场趋势展望（论文参考文献）
- [1]LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现[D]. 金梓. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]二维TMDs基光探测器性能研究[D]. 张志彬. 深圳大学, 2020(10)
- [3]电力电缆故障诊断中信号检测与增强技术研究[D]. 米建伟. 西安电子科技大学, 2018(07)
- [4]农业物联网专用处理器芯片设计研究[D]. 张港红. 中国农业大学, 2018(12)
- [5]基于FPGA的SoC芯片IP子系统原型验证[D]. 程翼胜. 重庆邮电大学, 2018(01)
- [6]基于单晶AlN薄膜的FBAR制备研究[D]. 刘国荣. 华南理工大学, 2017(07)
- [7]Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7的磁致磁相变及其薄膜交换偏置效应的研究[D]. 蔡文辉. 河北师范大学, 2016(09)
- [8]航天微系统技术综述[J]. 周庆瑞,孟松,宋坚,马骏. 航天器工程, 2014(04)
- [9]基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究[D]. 熊辉. 华中科技大学, 2013(10)
- [10]可编程逻辑器件测试系统[D]. 徐云厚. 长江大学, 2013(03)