一、用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备（论文文献综述）
梁倞[1]（2018）在《基于纳米压印的SiO2微纳结构基片的制作及光学特性研究》文中认为在周期性微纳结构中,光的产生、传播、探测与在普通介质中有显着的差异,许多传统光学概念已不再适用,现代光学研究已经迈入了以基于周期性微纳结构的光子晶体、表面等离激元、超材料等研究为标志的崭新时代。二氧化硅（Si O2）层以其介电性能、化学稳定性和高透明度,在许多光学或半导体器件中一直作为基础介电层或保护层,而表面具有周期性微纳结构的Si O2层以其特殊的光学特性,在光学领域中逐渐被开发出新的应用。然而,直接在Si O2基片上制备微纳结构需要复杂的工艺,成本高且耗时久,并不适用于大规模的工业生产。纳米压印技术作为一种微纳结构加工复制技术,最主要的特点就是分辨率高、耗时短、成本低、适用于大面积图案复制。然而,纳米压印技术目前通用的压印介质为有机聚合物,热稳定性和光学性能较差。如何利用纳米压印技术,低成本高效地制备优质的Si O2周期性微结构,以及不同Si O2基微结构的宏观尺寸基片的光学性质的研究一直都是微纳器件领域关注的问题之一。在本论文中,我们利用溶胶凝胶法制备具有高保真度的紫外固化Si O2压印胶,并通过无机改性手段提高其透明度,最终固化产物已被确认主要为非晶态Si O2。随后的实验证明本论文中的压印胶可以通过基底完整压抑光刻法制备出结构规整、保真度高、性质稳定、光学特性优秀的Si O2周期性微纳结构。矩形Si O2周期结构对450～1000 nm波长光的折射率n从1.44变化到1.42。通过研究其反射衍射行为,确定矩形周期结构Si O2具有优越的色散特性。实验和数值模拟皆表明矩形周期结构Si O2具有随入射角的改变的偏振调制特性,并且首次探讨了衬底均匀度对各阶次衍射点的强度的影响。Si O2微纳圆柱阵列对波长处在～500 nm的光波有较强的吸收。研究Si O2微纳圆柱阵列的反射衍射和透射衍射行为,特别对其偏振特性进行量化分析,确定这种微纳结构具有良好的散射和透射衍射效应,且对偏振光没有明显的选择特性。最后,本论文研究了六角形Si O2圆柱阵列对发光量子点的光场调制行为,发现在量子点-微纳结构复合基片中,材料本身和表面结构均会影响量子点的光致发光性能,包括量子点的发光峰位、半高宽和发光强度。而利用实验室手动压制的二维光子晶体结构,也具有很好的光子学特性,给出了一种简单使用低成本微纳结构制作方法。
吕长武[2]（2017）在《多孔硅光子器件的生物检测研究》文中研究说明多孔硅光学生物传感器的研究一直是多孔硅应用研究的热点。如何提高多孔硅传感器的检测灵敏度是研究者非常关心的问题。本文通过设计新结构、应用新检测方法和利用生物标记传感的方法来改进多孔硅传感器的灵敏度。本文主要研究基于多孔硅一维光子晶体结构的光学生物传感器。制备了新的多孔硅光栅与光子晶体复合结构并用于DNA浓度的检测。利用多孔硅光栅各级衍射光的角度分辨衍射谱进行多孔硅光学生物传感。研究了量子点标记DNA的方法来提高多孔硅光子晶体结构检测DNA生物分子的灵敏度。把多孔硅作为表面增强拉曼散射的基底材料,制备和优化了多孔硅/银复合结构。主要的工作内容及结论如下:1.用一种简便的方法制备了衍射光栅和一维光子晶体复合的全多孔硅光栅结构传感器件。测量了光栅各级衍射光在不同入射角时的衍射效率,得到了角度分辨的衍射效率谱。分别用理论和实验研究了这种多孔硅复合结构光学器件的2级和3级衍射光光强与入射角变化的关系。该结构的衍射效率谱对其与生物分子偶联时引起的折射率变化非常敏感。在检测8个碱基的抗冻蛋白DNA片段杂交时,检测极限达到了41.7n M。这是一种灵敏度高,制作方法简便,成本低廉的生物传感器。同时利用角度分辨的衍射效率谱进行生物检测未见报道。2.理论分析了用严格耦合波分析法求解一般光栅的衍射效率问题。数值模拟分析了影响表面浮雕矩形光栅衍射效率的因素与利用角度分辨衍射谱进行生物分子检测的可行性。实验制备了多孔硅双光栅和多光栅,测量了其角度分辨衍射谱。研究了多孔硅光栅在氧化与硅烷化后0级和-1级衍射的角度分辨衍射谱。结果表明多孔硅多层光栅的角度分辨衍射谱干涉峰较多且衍射效率有较大提高,但在功能化过程中干涉峰的移动没有明显规律。而多孔硅双层光栅结构的角度谱呈现了两个较宽的干涉峰,峰的移动有一定的规律性。在硅烷化检测APTES小分子时,干涉峰移动了11度。多孔硅双层光栅新结构在检测化学小分子的表现为其应用于生物分子检测并期望高灵敏度生物传感打下了基础。3.用不添加氧化剂的HF腐蚀液在无光照条件下电化学腐蚀制备了n型大孔的多孔硅光子晶体结构。利用微腔反射谱的缺陷态位置随折射率改变而发生移动的特点,通过微腔的反射光谱检测了用Cd Se/Zn S水溶性量子点标记的DNA目标分子。利用量子点的高折射率特性,使量子点与DNA偶联达到放大目标DNA的光学响应信号的目的,提高检测的灵敏度。同时利用量子点的荧光特性检测了与其偶联的DNA分子,结合荧光检测和反射谱检测得到了基于多孔硅微腔检测量子点偶联DNA的结果。荧光检测结果表明量子点偶联DNA的荧光强度可实现较高灵敏度的DNA检测。反射谱检测实验结果表明用量子点标记DNA可以提高DNA检测灵敏度五倍以上。4.一种简便、低成本和高效的方法来制备表面增强拉曼散射（SERS）衬底。该方法通过将多孔硅直接浸渍在银溶液中,银颗粒沉积在多孔硅上从而形成高效的SERS衬底。作为目标分子的罗丹明6G,其SERS光谱受到多孔硅表面的银颗粒形态的影响。我们研究了对银粒子形态有重要影响的三个关键因素:溶液浓度,浸渍时间和多孔层厚度对SERS光谱的影响。在多孔层厚度约3μm,并在50m M Ag NO3溶液中浸泡3min的基底上观察到高效的SERS光谱。基底的SEM图像显示,在这种基底的表面上尺寸几微米的大银颗粒的间隙中存在许多尺寸为几个纳米的小银颗粒。银颗粒的这种形态和分布使得多孔硅基底具有很好的表面增强拉曼散射效果。SERS活性基底在空气中存放两周后仍然有很好的拉曼光谱增强效果。
许杰[3]（2015）在《微观尺度下纳米硅材料的载流子输运特性和掺杂效应研究》文中提出纳米硅（nc-Si）薄膜作为一种新型的纳电子和光电子材料,无论是在基础理论方面还是在器件应用方面都有着重要的研究意义与价值。其在硅基单片光电集成、非易失性浮栅存储器和新一代薄膜太阳能电池等领域已显示出良好的应用前景,有的已步入了实用化阶段,因此引起了国际上的广泛关注与兴趣。通过对纳米硅能带结构的调控,基于其所具有的量子尺寸效应、库仑阻塞效应及表面效应等特性,可以获得体硅材料所不具有的性质,提高相应器件的性能。对于半导体纳电子与光电子器件而言,对载流子的电学输运性质的深入研究和理解是进一步提高器件性能的关键与基础,特别是对于纳米硅量子点器件而言,给出其在微观尺度下的载流子注入、输运和复合等物理过程的信息尤为重要。本论文就是针对这一课题,利用扫描探针显微技术,包括开尔文探测（KFM）、静电力探测（EFM）和导电性探测（CAFM）等手段,在纳米尺度下研究了纳米硅材料在不同条件下的表面电势变化、微观电流-电压特性等性质,基于所制备的纳米硅器件结构提出了相应模型,并通过静电场分析建立了在KFM模式下得到的纳米硅材料的表面电势与纳米硅中电荷面密度之间的定量解析关系,进而深入研究了本征与掺杂纳米硅量子点的电荷注入、存储及迁移等过程。本论文取得的主要成果和创新点如下:1.利用KFM探针在不同偏压下,对准分子脉冲激光晶化形成的SiC/nc-Si/SiC浮栅结构注入了电子或空穴,观测到注入电荷所引起的样品表面电势的不同变化,基于纳米硅浮栅器件结构提出了相应模型,通过对此结构中静电场的分析建立了表面电势与注入电荷面密度之间的解析关系,构建了 一种在纳米尺度下研究载流子注入特性的定量研究方法。这一测试和分析方法能够用于研究各种不同浮栅结构的电荷注入特性。2.利用KFM和CAFM技术,对纳米硅浮栅结构中注入电荷的存储特性和微观输运特性进行了系统研究。发现在SiC/nc-Si/SiC结构中,注入电子与空穴的面密度在1010-1011 e/cm2左右,这与纳米硅面密度相当,说明了平均而言一个纳米硅中只能注入一到两个载流子。同时,还发现空穴的注入数目与保存时间均大于电子,这可以归结为Si/SiC体系中空穴（价带）的势垒高度大于电子（导带）的势垒高度这一原因。进而利用CAFM技术得到该结构的电流-电压特性,发现载流子输运符合FN量子隧穿模型,而通过参数拟合得到的空穴与电子的有效势垒高度比为φBh/φBe=1.4,这与KFM的结果分析相一致。同时,从实验上发现在纳米硅浮栅结构中,载流子向硅衬底的泄漏是影响其保存时间的重要因素。3.利用KFM技术系统研究了不同衬底类型对纳米硅浮栅结构的电荷注入和保持特性的影响,发现纳米硅浮栅结构中电子的注入和保持特性受衬底的影响显着,在n-Si衬底上具有更小的正向开启电压,所以电子在注入的同时就会发生泄漏,而在p-Si衬底上电子的保持时间更短。进一步地,我们采用EFM技术对p-Si衬底样品的微观电荷注入特性进行了研究分析,并借助平板电容模型定量计算出了注入的电子和空穴的面密度,获得了与KFM测试相类似的结果。通过对比EFM和KFM的测试原理,认为EFM图像的分辨率优于KFM,这是因为KFM和EFM分别对应静电场和静电场梯度的测量,但从构建分析模型的角度考虑,KFM模型对测试信号和注入电荷之间定量关系的表述比EFM模型的表述更加精确。为了进一步对比不同表征技术的不同特点,我们又利用常规的高频电容-电压谱对纳米硅浮栅结构的电荷注入特性进行了研究,发现其推导出的注入电荷面密度与EFM的结果相近,但均高于KFM的计算结果,提出了 KFM测试中的侧壁电容效应是引起这一偏差的重要原因。4.使用激光诱导晶化技术制备了磷（P）或硼（B）掺杂的纳米硅材料,利用KFM技术研究了掺杂对纳米硅表面电势的影响,进而探讨了在纳米硅中有效掺杂的可能性。在实验上发现了 P掺杂纳米硅在n-Si衬底上的KFM信号与本征纳米硅样品类似,说明此时P并未形成有效的掺杂,费米能级仍基本在禁带中央。在经过700℃短时间热退火后,样品的KFM信号显示出P原子有可能掺入到纳米硅中形成有效掺杂,使费米能级发生移动,并导致电荷在纳米硅与衬底之间发生迁移,从而引起了 KFM信号的变化。而对B掺杂的研究则表明其与P具有不同的掺杂行为,B原子在激光晶化过程中就能进入纳米硅中形成有效掺杂。根据这些实验结果,我们提出了相应的电容模型,估算出有效的B掺杂浓度,发现其不到气相标称掺杂浓度的1%,说明对于纳米硅而言,很难形成有效掺杂,大部分B杂质原子可能留在非晶基质中。
程培红[4]（2009）在《金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光》文中研究指明随着建立在硅材料基础上的大规模集成电路的不断发展,过高的互连和集成度带来了信号延迟和器件过热的问题,给以大规模集成电路为代表的微电子工业的持续发展带来了很大的困难,而硅基光电子集成则是解决这一难题的理想途径。但是,高效率的硅基发光材料和器件国际上依然没有解决。而将金属表面等离子体用于增强发光材料和器件量子效率,则是研究的热点。本文将表面等离子体用于提高硅基发光材料和器件的发光效率,不仅在表面等离子耦合发光的机理研究上有重要的理论探索意义,而且在硅基光电子领域有良好的应用前景。本文制备了金属岛膜和核-壳阵列结构,研究了影响其形貌和表面等离子体共振特性的因素,在此基础上将金属银岛膜用于增强硅基ZnO薄膜和富硅氮化硅薄膜的发光强度,并且详细研究了影响材料与表面等离子体耦合发光的因素以及耦合作用机理。取得如下有创新意义的结果:（1）利用磁控溅射法制备了Ag岛膜,掌握了调节其表面等离子体共振特性的各种参数。研究通过不同热处理工艺,改变银岛膜的形貌,进而调节其表面等离子共振波长。研究发现:200℃的快速热处理可使共振波长有较大蓝移,在不同温度下的常规热处理可以连续调节银岛膜的表面等离子共振波长。（2）利用聚苯乙烯球（PS）为模板,制备了Ag和Au的核-壳结构阵列,掌握了调节其表面等离子体共振特性的各种参数。实验发现,随着溅射时间增加,壳层变厚,其偶极表面等离子体共振频率蓝移。在利用热处理的方法去除PS球模板后,金属核-壳的介电环境发生变化,进而偶极等离子共振频率发生蓝移,实验还确定了热处理去除模板的适宜温度和所需时间。（3）利用Ag岛膜增强了ZnO薄膜的带间发光,确定了能量传递-散射的表面等离子体耦合机理。ZnO带间发光和缺陷发光分别与Ag岛膜的面外和面内局域表面等离子体共振模式耦合,导致了带间和缺陷发光荧光强度变化的不同,并且发现可以通过调节表面等离子共振达到控制耦合发光强度的目的。研究了Ag颗粒大小、探测方向、ZnO薄膜的厚度以及温度等因素对Ag岛膜耦合增强ZnO薄膜发光的影响,并且分析了不同条件下耦合发光的机理。（4）发现了Ag岛膜耦合增强ZnO薄膜发光对衬底折射率的依赖。通过理论计算,指出其原因主要是由于高折射率衬底会给体系引入衬底模式,该模式会对耦合进入表面等离子体模式的能量造成竞争,进而影响表面等离子体经散射作用而辐射出去的能量。近一步地,实验设计了四层结构,避免了衬底模式对能量的损耗,达到了表面等离子体耦合增强硅基ZnO薄膜发光的目的。（5）利用Ag岛膜的局域表面等离子体增强了富硅氮化硅薄膜的发光。研究结果表明,相对于银岛散射的辐射增强作用,表面等离子体增强激发效率对富硅氮化硅薄膜的荧光增强起到了决定作用。通过研究不同发光波长的氮化硅薄膜与Ag岛膜的耦合发光,指出:其荧光的增强因子不但与银岛的尺寸有关,还与发光波长与Ag岛膜的表面等离子共振带的光谱位置有关,其中后者还会影响耦合增强后的富硅氮化硅薄膜的荧光峰位。
江梅[5]（2008）在《图案化多孔硅制备、表征与爆炸特性研究》文中研究表明图案化多孔硅是在硅片上形成的具有一定形状和尺寸图案的多孔硅,具有以纳米硅原子簇为骨架的海绵状结构,它既具备多孔硅的诸多优良性质,同时还具有局部区域图形化、尺寸可控等特征,在光电子器件、电池、生物传感器等领域得到了广泛应用。同时多孔硅因其高爆炸特性、爆炸产物环境危害少和与全硅基生产工艺相容等特性而受到世界各国的广泛关注,而对其爆炸性能的研究还不甚成熟,论文结合国内外研究现状,开展了图案化多孔硅的制备、表征及爆炸性能的研究工作,具体内容包括:①研究了氧化时间、电流密度、HF浓度、掺杂类型等阳极氧化条件对多孔硅孔隙率、膜层厚度的影响规律,通过实验条件优化,得到制备图案化多孔硅的条件为:n硅,光照,HF含量30%,电流密度35～45mA/cm2,氧化时间15min。②通过在硅基体上预光刻各种不同线宽以及不同形状的图案,制备得到图案化多孔硅,研究不同光刻尺寸对制备得到的多孔硅形貌的影响,同时对电化学氧化过程中氮化硅保护层的腐蚀行为进行了研究。③采用SEM, FT-IR, PL等对图案化多孔硅进行结构和性质表征。结果表明,多孔硅表面SEM图中可观察到细的形状不规则的裂纹,从剖面图中可以很明显的看到硅刻蚀的通道;图案化多孔硅表面存在大量Si-Hx键;图案化多孔硅发射波长为650nm,即图案化多孔硅可发射红光。④对图案化多孔硅的爆炸性能进行了研究,其与硝酸钆组成的体系用电火花引爆时能较好传爆,以爆炸声强为参数考察了多孔硅的孔隙率、膜层厚度、孔体积、氧化剂填充量等结构参数对其所组成的体系爆炸性能的影响。⑤研究了采用无水乙醇保存、在空气中放置以及采用UV稳定化处理三种方法保存的多孔硅爆炸性能和发光性能,并研究了随着存放时间的延长,多孔硅光致发光峰位和峰强的变化以及爆炸性能的变化。⑥通过对多孔硅/硝酸钆体系的爆炸现象、爆炸前后的SEM分析以及通过FT-IR对多孔硅和硝酸钆体系的表面化学键的分析,结合普通炸药的爆炸机理,尝试对多孔硅爆炸机理进行分析。
罗小蓉[6]（2007）在《基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型》文中指出SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit,HVIC）因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOIHVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压限制其在高压功率集成电路中的应用。为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压。但迄今为止,SOI横向高压器件均采用SiO2作为埋层,且实用SOI器件击穿电压不超过600V;同时,就SOI横向器件的电场分布和耐压解析模型而言,现有的模型仅针对具有均匀厚度埋氧层和均匀厚度漂移区的SOI器件建立;而且,没有一个统一的理论来指导SOI横向高压器件的纵向耐压设计。本文围绕SOI横向高压器件的耐压问题,从耐压理论、器件结构和耐压解析模型几方面进行研究。基于SOI器件介质层电场临界化的思想,提出介质场增强ENDIF（ENhanced DIelectric layer Field）理论,在ENDIF理论指导下,提出三类SOI横向高压器件新结构,建立相应的耐压解析模型,并进行实验。1、ENDIF理论对现有典型横向SOI高压器件的纵向耐压机理统一化。ENDIF理论的思想是通过增强埋层电场而提高SOI横向器件的纵向耐压。ENDIF理论给出了增强埋层电场的三种途径:采用低k（相对介电常数）介质埋层、薄SOI层和在漂移区/埋层界面引入电荷,并获得了一维近似下埋层电场和器件耐压的解析式。ENDIF理论可对现有典型SOI横向高压器件的纵向耐压机理统一化,它突破了传统SOI横向器件纵向耐压的理论极限,是优化设计SOI横向高压器件纵向耐压的普适理论。2、基于ENDIF理论,提出以下三类SOI横向高压器件新结构,并进行理论和实验研究。（1）首次提出低k型介质埋层SOI高压器件及其耐压解析模型低k型介质埋层SOI高压器件包括低k介质埋层SOI高压器件、变k介质埋层SOI高压器件和低k介质埋层PSOI（Partial SOI）高压器件。该类器件首次将低介电系数且高临界击穿电场的介质引入埋层或部分埋层,利用低k介质增强埋层电场、变k介质调制埋层和漂移区电场而提高器件耐压。通过求解二维Poisson方程,并考虑变k介质对埋层和漂移区电场的调制作用,建立了变k介质埋层SOI器件的耐压模型,由此获得RESURF判据。此模型和RESURF判据适用于变厚度埋层SOI器件和均匀介质埋层SOI器件,是变介质埋层SOI器件（包括变k和变厚度介质埋层SOI器件）和均匀介质埋层SOI器件的统一耐压模型。借助解析模型和二维器件仿真软件MEDICI研究了器件电场分布和击穿电压与结构参数之间的关系。结果表明,变k介质埋层SOI高压器件的埋层电场和器件耐压可比常规SOI器件提高1倍和83%,当源端埋层为高热导率的Si3N4而不是SiO2时,埋层电场和器件耐压分别提高73%和58%,且器件最高温度降低51%。解析结果和仿真结果吻合较好。（2）提出并成功研制电荷型介质场增强SOI高压器件本文提出的电荷型介质场增强SOI高压器件包括（a）双面电荷槽SOI高压器件和电荷槽PSOI高压器件,其在埋氧层的一侧或两侧形成介质槽。根据ENDIF理论,槽内束缚的电荷将增强埋层电场,进而提高器件耐压。电荷槽PSOI高压器件在提高耐压的基础上还能降低自热效应;（b）复合埋层SOI高压器件,其埋层由两层氧化物及其间多晶硅构成。该器件不仅利用两层埋氧承受耐压,而且多晶硅下界面的电荷增强第二埋氧层的电场,因而器件耐压提高。本文开发了基于SDB（Silicon Direct Bonding）技术的非平面埋氧层SOI材料的制备工艺,并研制出730V的双面电荷槽SOI LDMOS和760V的复合埋层SOI器件,前者埋层电场从常规结构的低于120V/μm提高到300V/μm,后者第二埋氧层电场增至400V/μm以上。（3）提出薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件并建立其耐压解析模型。该器件的漂移区厚度从源到漏阶梯增加。其原理是:在阶梯处引入新的电场峰,新电场峰调制漂移区电场并增强埋层电场,从而提高器件耐压。通过求解Poisson方程,建立阶梯漂移区SOI器件耐压解析模型。借助解析模型和数值仿真,研究了器件结构参数对电场分布和击穿电压的影响。结果表明,对tI=3μm,tS=0.5μm的2阶梯SOI器件,耐压比常规SOI结构提高1倍,且保持较低的导通电阻。仿真结果证实了解析模型的正确性。
汤会香[7]（2005）在《ZnO纳米颗粒气敏性能的研究》文中认为ZnO是一种重要的新型半导体材料,由于其独特的电学、光学特性,近年来引起了极大关注。而纳米ZnO材料具有比表面积大、易于表面修饰等优点,在光电子器件、传感器等领域有广泛的应用前景。对于纳米ZnO气体传感器而言,它属于表面控制型传感器件,除了掺杂作用外,其比表面积对性能也具有极其重要的作用,是纳米ZnO气敏器件研究的重点。 本文主要利用溶胶—凝胶法制备了不同掺杂以及不同表面修饰的ZnO纳米颗粒,系统研究了ZnO纳米颗粒的相结构,表面形貌和气敏性能,探索了气敏机理。得到了以下几点创新结果: 首次研究了聚十六烷基吡咯烷酮（polyvinylpyrrolidone,PVP）的表面修饰对ZnO纳米颗粒气敏性能的影响,指出PVP的表面修饰可提高ZnO纳米颗粒的分散性。利用溶胶—凝胶法制备了PVP修饰的ZnO纳米颗粒,研究了不同配比下的PVP修饰的ZnO纳米颗粒的表面形貌和气敏性能,发现Zn2+与PVP的摩尔比为1:1时,传感器对三甲胺（trimethylamine,TMA）具有非常高的灵敏度和选择性,并且重复性较好。研究进一步探讨了PVP修饰的ZnO纳米颗粒气敏性能提高的原因。 系统研究了掺入不同Mo含量的ZnO纳米颗粒的形貌、结晶性能和气敏性能。采用溶胶—凝胶法制备了掺入Mo的ZnO纳米颗粒,结果表明,ZnO纳米颗粒的结晶性能和形貌都受到掺入量的影响,当Mo元素的含量为10%时,传感器在室温下对NH3气体的灵敏度和选择性较好,且重复性较好,并提出了掺入Mo的ZnO纳米颗粒NH3敏性能变化的机理。 论文研究了掺入Fe2O3和Mn3O4纳米颗粒的ZnO纳米颗粒气敏特性。通过溶胶—凝胶法分别制备了掺入不同含量的Fe2O3和Mn3O4纳米颗粒的ZnO纳米颗粒。研究指出,两种物质掺入的ZnO纳米颗粒的结晶性能都受到掺入量的影响。但是,掺入量对形貌的影响却有所不同,Fe2O3掺杂的ZnO纳米颗粒的表面形貌与掺入量也有很大的关系,而Mn3O4的掺入对ZnO纳米颗粒的形貌几乎没有影响。传感器气敏性能的
韦嘉[8]（2005）在《RF MEMS压控电容理论优化和工艺研究》文中进行了进一步梳理射频微电子机械系统（RF MEMS）技术在射频（RF）通信领域的应用正在得到广泛的重视。为了实现高性能的射频压控振荡器,需要大变容范围,高品质因数的压控电容器件。利用静电驱动的RF MEMS压控电容成为了人们研究的一个热点。本文对采用两侧下拉电极（SPEC）的MEMS压控电容,在电学和力学两方面性能进行了理论建模,分析了各种设计参数、工艺参数与材料参数对器件的影响,并在此基础上对SPEC MEMS压控电容进行了工艺设计、流水和测试,得到了高性能的MEMS压控电容器件。论文首先介绍了SPEC MEMS压控电容的设计思想和工作原理,并用有限元分析（FEA）软件对器件进行了力学性能仿真,验证了设计思想。为了能够实现对器件几何参数的优化设计,论文针对SPEC MEMS压控电容的力学结构,建立了力学性能模型。模型计算结果与有限元分析软件吻合的很好。根据此模型,我们分析了各种参数对器件力学性能的影响,并给出了优化方法。论文接着给出了SPEC MEMS压控电容的电学模型,并根据该模型分析了各种寄生因素对器件微波性能的影响,并引入了ADS的momentum RF工具对压控电容的电学特性进行了模拟和分析。获得了电学模拟和设计结果。论文对实现高性能SPEC MEMS压控电容的关键工艺进行了研究。包括用于低损耗隔离衬底的氧化多孔硅层制备方法;聚酰亚胺牺牲层材料的制备、刻蚀和释放工艺;Al薄膜悬空极板和Al/SiON复合薄膜悬空极板的制备。论文高阻硅衬底和氧化多孔硅衬底分别进行了器件制作研究,认为两种衬底均能有效的削弱衬底寄生效应导致品质因数的恶化。高阻硅衬底上制作的器件品质因数可达到30@3GHz,而氧化多孔硅上的器件品质因数高达45@4GHz。最后,论文给出了测量结果。在高阻硅衬底上利用铝材料作为可动极板,得到的器件电容初始值为0.425pF@2GHz,最大品质因数为30@3GHz, 50V控制电压下,具有0.18pF的可控变容量,变化比例为42%。采用Al/SiON复合薄膜制作的器件,具有0.458pF@2GHz的初始电容值,最大品质因数为18@4GHz,40V下具有约0.6pF的变容量,变化范围为130%,寿命超过了1百万次。
陈忠民,刘泽文,刘理天[9]（2004）在《一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感》文中研究指明提出了一种基于氧化多孔硅厚膜隔离技术的Cu电感。厚膜隔离层降低了电感的衬底损耗,提高了电感的Q值。实验中通过多孔硅氧化和电镀Cu制备了电感样品。微波测试显示,电感在2.8GHz的频率下Q值达到了4.5,电感值约为5nH,电感的自谐振频率为9GHz。
陈忠民,刘泽文,刘理天[10]（2004）在《一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感》文中进行了进一步梳理提出了一种基于氧化多孔硅厚膜隔离技术的Cu电感。厚膜隔离层降低了电感的衬底损耗,提高了电感的Q值。实验中通过多孔硅氧化和电镀Cu制备了电感样品。微波测试显示,电感在2.8GHz的频率下Q值达到了4.5,电感值约为5nH,电感的自谐振频率为9GHz。
二、用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备（论文提纲范文）
（1）基于纳米压印的SiO2微纳结构基片的制作及光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 周期性微结构的应用 |
| 1.2.1 光子晶体 |
| 1.2.2 表面等离激元 |
| 1.2.3 超材料 |
| 1.3 周期性微纳结构的加工技术 |
| 1.3.1 光刻和刻蚀 |
| 1.3.2 电化学法 |
| 1.3.3 压印 |
| 1.3.4 薄膜法 |
| 1.3.5 自组装 |
| 1.4 基底完整压印光刻法简介 |
| 1.4.1 纳米压印光刻 |
| 1.4.2 软光刻技术 |
| 1.4.3 基底完整压印光刻技术 |
| 1.5 本文选题依据及研究内容 |
| 第2章 二氧化硅纳米压印胶的制备 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 SiO_2纳米压印胶的合成 |
| 2.2.1 反应试剂及仪器 |
| 2.2.2 SiO_2纳米压印胶的合成 |
| 2.3 SiO_2纳米压印胶的反应机理 |
| 2.3.1 热固化SiO_2纳米压印胶的合成和固化机理 |
| 2.3.2 紫外固化SiO_2纳米压印胶的合成和固化机理 |
| 2.4 热固化SiO_2纳米压印胶的优化 |
| 2.4.1 有机改性单体的选择 |
| 2.4.2 不同TMOS:MTMS投料比对固化结果的影响 |
| 2.5 紫外固化SiO_2纳米压印胶的优化 |
| 2.5.1 TMOS的加入 |
| 2.5.2 光引发剂的选择 |
| 2.5.3 溶剂的选择 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 SiO_2周期性微纳结构的制备 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SiO_2周期性微纳结构的制备 |
| 3.2.1 实验用压印胶及仪器 |
| 3.2.2 两种SiO_2压印胶的压印工艺流程 |
| 3.2.3 热固化SiO_2压印胶的压印操作 |
| 3.2.4 紫外固化SiO_2压印胶的压印操作 |
| 3.3 SiO_2周期性微结构的制备结果 |
| 3.3.1 SiO_2周期性微结构的形貌 |
| 3.3.2 SiO_2压印结构规整度 |
| 3.3.3 SiO_2周期性微结构的热稳定性 |
| 3.3.4 大面积SiO_2周期性微结构的制备 |
| 3.3.5 复杂微结构的压印结果 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 矩形SiO_2周期结构的光学性质 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 矩形微纳结构SiO_2基片 |
| 4.2.1 折射率与消光系数 |
| 4.2.2 矩形微纳结构SiO_2基片的分光特性 |
| 4.3 矩形微纳结构SiO_2基片的偏振调制特性 |
| 4.3.1 实验装置 |
| 4.3.2 实验结果 |
| 4.3.3 衬底平整度对偏振调制特性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 六角形SiO_2微纳结构基片的光学特性及应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 六角形SiO_2微纳结构基片的分光特性 |
| 5.2.1 基片的透光性 |
| 5.2.2 六角形SiO_2微纳结构基片的分光特性 |
| 5.3 六角形SiO_2微纳结构基片的衍射现象 |
| 5.3.1 六角形SiO_2微纳结构基片透射衍射 |
| 5.3.2 六角形SiO_2微纳结构基片的偏振特性 |
| 5.4 微结构基片对发光量子点的光场调制行为 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 1.结论 |
| 2.展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
（2）多孔硅光子器件的生物检测研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅及应用 |
| 1.1.1 多孔硅的制备 |
| 1.1.2 多孔硅的形成机理 |
| 1.1.3 多孔硅的应用 |
| 1.2 多孔硅光子晶体概述 |
| 1.2.1 一维光子晶体 |
| 1.2.2 二维光子晶体 |
| 1.2.3 三维光子晶体 |
| 1.3 多孔硅光栅的研究 |
| 1.3.1 光栅方程及多孔硅光栅的分类 |
| 1.3.2 多孔硅光栅研究进展 |
| 1.3.3 多孔硅光栅制备方法 |
| 1.3.4 多孔硅光栅的传感应用 |
| 1.4 生物传感器概述 |
| 1.4.1 生物传感器原理及分类 |
| 1.4.2 光学生物传感器 |
| 1.5 多孔硅光学生物传感器 |
| 1.5.1 基于反射谱干涉峰测量的多孔硅光传感器 |
| 1.5.2 基于荧光的多孔硅光传感器 |
| 1.5.3 多孔硅生物传感器的尺寸选择性 |
| 1.6 论文的研究内容和创新 |
| 第二章 多孔硅一维光子晶体的制备及理论模拟 |
| 2.1 制备方法和装置 |
| 2.1.1 材料仪器和装置 |
| 2.1.2 多孔硅的制备过程 |
| 2.1.3 多孔硅的孔隙率、厚度与孔径 |
| 2.2 理论模拟仿真方法 |
| 2.2.1 转移矩阵法 |
| 2.2.2 时域有限差分法 |
| 2.2.3 严格耦合波分析法 |
| 第三章 基于多孔硅光栅衍射的生物传感研究 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 光栅复合结构的制作 |
| 3.1.2 电化学腐蚀对光栅结构的影响 |
| 3.1.3 反射谱和衍射图样 |
| 3.1.4 衍射光强的测量 |
| 3.1.5 氧化、硅烷化和生物检测 |
| 3.2 结果和讨论 |
| 3.2.1 2级与3级角度分辨衍射谱 |
| 3.2.2 检测极限分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 衍射光栅的模拟及多孔硅深光栅结构角度分辨衍射光谱研究 |
| 4.1 光栅的理论模拟 |
| 4.1.1 光栅衍射问题求解方法 |
| 4.1.2 RCWA方法求解表面浮雕光栅 |
| 4.2 影响光栅衍射效率的因素分析 |
| 4.2.1 光栅参数对衍射效率的影响 |
| 4.2.2 入射光条件对光栅衍射效率的影响 |
| 4.2.3 各衍射级的衍射效率 |
| 4.2.4 光栅折射率变化对衍射的影响 |
| 4.3 多孔硅双光栅和多层光栅角度分辨衍射谱的测量 |
| 4.3.1 实验材料和装置 |
| 4.3.2 多孔硅光栅的制备 |
| 4.3.3 多孔硅光栅的功能化与角度分辨衍射谱测量 |
| 4.3.4 实验结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 n型大孔多孔硅生物传感器对量子点标记DNA的检测 |
| 5.1 实验部分 |
| 5.1.1 仪器材料和表征 |
| 5.1.2 多孔硅多层和微腔的制备 |
| 5.1.3 QD与DNA的偶联 |
| 5.1.4 多孔硅结构的功能化 |
| 5.1.5 多孔硅结构连接DNA探针 |
| 5.1.6 目标DNA的检测 |
| 5.2 结果和讨论 |
| 5.2.1 QD-DNA浓度与光致发光PL谱的关系 |
| 5.2.2 用反射谱移动检测DNA |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 银颗粒沉积多孔硅的SERS基底研究 |
| 6.1 实验部分 |
| 6.1.1 材料和仪器 |
| 6.1.2 多孔硅的制备 |
| 6.1.3 SERS基底的制备 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 6.2.1 多孔硅层厚度对SERS的影响 |
| 6.2.2 Ag NO3溶液浓度对SERS的影响 |
| 6.2.3 浸渍时间对SERS的影响 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结论和展望 |
| 7.1 论文主要结论 |
| 7.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 博士期间工作成果 |
| 致谢 |
（3）微观尺度下纳米硅材料的载流子输运特性和掺杂效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米硅材料的研究背景 |
| 1.2 纳米硅材料的基本特性 |
| 1.2.1 量子限制效应与尺寸控制 |
| 1.2.2 表面效应与表面修饰 |
| 1.2.3 库仑阻塞效应 |
| 1.2.4 掺杂效应 |
| 1.3 利用扫描探针显微技术表征纳米硅材料特性的研究现状 |
| 1.4 本论文主要内容 |
| 本章参考文献 |
| 第二章 利用KFM技术定量研究纳米硅浮栅结构中的电荷注入特性 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 AFM测试原理与KFM定量模型构建 |
| 2.2.1 AFM的发展历史与形貌扫描模式 |
| 2.2.2 开尔文方法与KFM模式 |
| 2.2.3 利用KFM技术研究浮栅结构电荷注入特性的定量模型构建 |
| 2.3 纳米硅三明治浮栅结构样品的制备与结构表征 |
| 2.3.1 三明治浮栅结构样品的制备 |
| 2.3.2 三明治浮栅结构样品的结构表征 |
| 2.4 纳米硅浮栅结构中电荷注入特性的KFM研究 |
| 2.5 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第三章 纳米硅浮栅结构中电荷存储与输运特性的KFM/CAFM研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 纳米硅浮栅结构样品的制备与表征 |
| 3.3 纳米硅浮栅结构中微观电荷注入与保持特性研究 |
| 3.3.1 不同注入偏压对电荷注入特性的影响 |
| 3.3.2 注入电荷的抽取和在横向电场作用下的电荷衰减特性 |
| 3.3.3 不同SiC隧穿层厚度对电荷保持特性的影响 |
| 3.4 纳米硅浮栅结构中微观电学输运特性研究 |
| 3.4.1 纳米硅浮栅结构的形貌与导电性质的CAFM研究 |
| 3.4.2 纳米硅浮栅结构的电流-电压特性的CAFM研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第四章 纳米硅浮栅结构中电荷注入特性的微观与宏观研究比较 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 两种纳米硅浮栅结构样品的制备 |
| 4.3 不同衬底对纳米硅微观电荷注入特性影响的KFM研究 |
| 4.4 纳米硅微观电荷注入特性的EFM研究及其与KFM研究的比较 |
| 4.4.1 EFM模式的基本原理 |
| 4.4.2 微观电荷注入特性的EFM表征及其与KFM研究的比较 |
| 4.5 纳米硅宏观电荷注入特性的C-V研究及其与KFM研究的比较 |
| 4.6 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第五章 激光晶化制备纳米硅中掺杂效应的KFM研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 单层薄膜激光退火的热力学模拟与孤立纳米硅的制备 |
| 5.2.1 单层薄膜激光退火的热力学模拟 |
| 5.2.2 激光晶化制备孤立纳米硅及CAFM表征 |
| 5.3 本征纳米硅中电荷迁移的KFM研究 |
| 5.4 磷掺杂纳米硅中电荷迁移的KFM研究 |
| 5.5 硼掺杂纳米硅中电荷迁移的KFM研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 展望 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（4）金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 致谢 |
| 目录 |
| 前言 |
| 第1章 文献综述 |
| 1.1 金属界面处的表面等离激元 |
| 1.1.1 表面等离激元的基本特性 |
| 1.1.2 表面等离激元的穿透深度和传播长度 |
| 1.1.3 表面等离激元的激发方式 |
| 1.1.4 表面等离激元的场增强效应 |
| 1.1.5 金属纳米结构的局域表面等离子体 |
| 1.1.6 LSP的共振频率、吸收和散射 |
| 1.1.7 影响LSP共振的因素 |
| 1.1.8 金属表面等离子体能量的耗散 |
| 1.1.9 金属表面等离子体的应用 |
| 1.1.10 金属结构的制备 |
| 1.2 表面等离子体耦合发光 |
| 1.2.1 金属SP和发光中心的耦合作用 |
| 1.2.2 金属SP耦合发光的机理 |
| 1.2.3 SP耦合发光在半导体发光材料领域的应用 |
| 1.3 硅基发光材料的研究进展 |
| 1.3.1 富硅氮化硅薄膜的发光研究进展 |
| 1.3.2 ZnO薄膜的发光研究进展 |
| 1.4 本章小结 |
| 第2章 生长与测试设备 |
| 2.1 直流磁控溅射设备 |
| 2.2 PECVD设备 |
| 2.3 热处理设备 |
| 2.4 测试仪器 |
| 第3章 金属岛膜的制备和表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 银岛膜的制备 |
| 3.2.1 衬底的清洗 |
| 3.2.2 生长设备及生长条件 |
| 3.3 银岛膜的表征 |
| 3.3.1 银岛膜的形貌表征 |
| 3.3.2 银岛膜的消光谱表征 |
| 3.4 热处理对银岛膜的影响 |
| 3.4.1 快速热处理对银岛膜的影响 |
| 3.4.2 常规热处理对银岛膜的影响 |
| 3.5 生长温度对银岛膜的影响 |
| 3.6 小结 |
| 第4章 金属核-壳结构阵列的制备和表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 金属核-壳结构阵列的制备 |
| 4.2.1 衬底的预处理 |
| 4.2.2 聚苯乙烯球的组装 |
| 4.2.3 金属壳层的沉积 |
| 4.2.4 热处理去除PS模板 |
| 4.3 金属银核-壳结构阵列的表征 |
| 4.3.1 银核-壳结构阵列的形貌和LSP共振 |
| 4.3.2 常规热处理去除银核-壳结构中的PS模板 |
| 4.3.3 快速热处理去除银核-壳结构中的PS模板 |
| 4.3.4 去除PS模板的银壳结构的表征 |
| 4.4 金属Au核-壳结构阵列的表征 |
| 4.4.1 Au核-壳结构阵列的形貌和LSP共振 |
| 4.4.2 PS球模板的去除后的Au核-壳结构 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 银岛膜局域表面等离子体用于增强ZnO薄膜发光 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验条件 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.2 样品测试 |
| 5.3 实验结果和讨论 |
| 5.3.1 样品的结构和形貌观察 |
| 5.3.2 样品的消光谱表征 |
| 5.3.3 样品的荧光光谱 |
| 5.3.4 快速热处理对增强荧光的影响 |
| 5.3.5 探测方式对增强荧光的影响 |
| 5.3.6 ZnO薄膜层的厚度对荧光增强的影响 |
| 5.3.7 温度对荧光增强的影响 |
| 5.4 本章总结 |
| 第6章 局域表面等离子体增强硅基ZnO薄膜发光体系的设计 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 理论基础 |
| 6.2.1 源偶极子的运动方程 |
| 6.2.2 归一化阻尼率 |
| 6.2.3 源偶极子处的场 |
| 6.2.4 体系的功率谱 |
| 6.2.5 具体体系中的归一化阻尼率的形式分析 |
| 6.3 实验部分 |
| 6.3.1 实验设计和样品制备 |
| 6.3.2 实验结果和分析 |
| 6.3.3 理论计算结果和分析 |
| 6.4 硅基ZnO发光增强体系的设计 |
| 6.4.1 实验设计和样品制备 |
| 6.4.2 计算及实验结果和分析 |
| 6.4 本章总结 |
| 第7章 局域表面等离子体增强富硅氮化硅薄膜发光 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.2.1 样品的制备 |
| 7.2.2 样品的测试 |
| 7.3 激发光波长对LSP增强SRSN薄膜发光的影响 |
| 7.3.1 实验条件 |
| 7.3.2 实验结果和讨论 |
| 7.4 不同发光波长的SRSN薄膜与LSP的耦合发光 |
| 7.4.1 实验条件 |
| 7.4.2 实验结果和讨论 |
| 7.5 本章总结 |
| 第8章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
| 攻读博士期间发表(提交)的论文和申请的专利 |
（5）图案化多孔硅制备、表征与爆炸特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 图案化多孔硅的国内外研究现状 |
| 1.2.1 PPS 制备方法 |
| 1.2.2 PPS 形成机理 |
| 1.2.3 PPS 特殊的理化性质 |
| 1.2.4 PPS 潜在应用领域 |
| 1.3 多孔硅爆炸性能研究现状 |
| 1.4 论文研究目的及研究内容 |
| 1.4.1 论文的研究目的 |
| 1.4.2 论文主要研究内容 |
| 2 实验 |
| 2.1 实验仪器与试剂 |
| 2.1.1 仪器 |
| 2.1.2 材料与试剂 |
| 2.2 图案化多孔硅的制备 |
| 2.2.1 图案设计 |
| 2.2.2 光刻工艺 |
| 2.2.3 氧化装置设计 |
| 2.2.4 制备流程 |
| 2.3 图案化多孔硅的表征 |
| 2.3.1 结构参数测定 |
| 2.3.2 微观结构 |
| 2.3.3 表面化学组成 |
| 2.3.4 发光性能 |
| 2.4 多孔硅的储存 |
| 2.4.1 多孔硅储存方法 |
| 2.4.2 储存时间对发光性能和爆炸性能影响 |
| 2.4.3 储存方法对表面化学组成影响 |
| 2.5 图案化多孔硅含能材料制备及其爆炸性能评价 |
| 2.5.1 图案化多孔硅含能材料制备方法 |
| 2.5.2 图案化多孔硅含能材料爆炸性能评价 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 图案化多孔硅制备条件对其理化性质的影响 |
| 3.1.1 电化学阳极氧化条件对多孔硅理化性质的影响 |
| 3.1.2 氮化硅保护层的形貌与图案尺寸变化 |
| 3.2 图案化多孔硅理化性质变化特征 |
| 3.2.1 图案化多孔硅微结构 |
| 3.2.2 图案化多孔硅表面化学组成 |
| 3.2.3 图案化多孔硅发光性质 |
| 3.3 图案化多孔硅含能材料爆炸性能 |
| 3.3.1 图案化多孔硅爆炸性能 |
| 3.3.2 孔隙率（P）、膜层厚度（d）、孔总体积(Vp)对爆炸性能的影响 |
| 3.3.3 贮存方法对多孔硅爆炸性能的影响 |
| 3.3.4 图案化多孔硅含能材料爆炸机理初探 |
| 4 结论与展望 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 |
（6）基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 SOI技术概述 |
| 1.2 SOI横向高压器件耐压技术的现状与发展 |
| 1.2.1 纵向耐压技术 |
| 1.2.2 横向耐压技术 |
| 1.3 SOI横向器件电场分布和耐压解析模型的研究现状 |
| 1.4 本文主要工作和创新 |
| 第二章 低K型介质埋层SOI高压器件 |
| 2.1 ENDIF理论 |
| 2.1.1 ENDIF理论 |
| 2.1.2 ENDIF理论统一几类典型SOI横向高压器件的纵向耐压机理 |
| 2.2 低K介质埋层SOI高压器件 |
| 2.2.1 低k介质材料特性及其研究现状 |
| 2.2.2 低k介质埋层SOI高压器件 |
| 2.3 变K介质埋层SOI高压器件 |
| 2.3.1 高耐压变k介质埋层SOI高压器件 |
| 2.3.2 高散热变k介质埋层SOI高压器件 |
| 2.4 变K介质埋层SOI器件耐压解析模型 |
| 2.5 变K介质埋层SOI材料的制备 |
| 2.6 低K介质埋层PSOI高压器件 |
| 2.6.1 器件结构及耐压机理 |
| 2.6.2 击穿电压与器件结构参数的关系 |
| 2.6.3 低k介质埋层PSOI的热特性 |
| 2.7 小结 |
| 第三章 电荷型介质场增强SOI高压器件 |
| 3.1 常规SOILDMOS埋氧层界面的电荷 |
| 3.2 电荷槽SOI高压器件耐压机理 |
| 3.2.1 电荷槽SOI高压器件纵向耐压机理 |
| 3.2.2 电荷槽SOI高压器件横向耐压机理 |
| 3.3 单面电荷槽SOI器件击穿电压与结构参数的关系 |
| 3.4 双面电荷槽SOI高压器件耐压特性 |
| 3.4.1 器件结构 |
| 3.4.2 耐压特性 |
| 3.5 电荷槽SOI材料和器件的实验研制 |
| 3.5.1 基于SDB技术的600V级的双面槽SOI器件研制 |
| 3.5.1.1 基于SDB技术的600V级的双面槽SOI材料的研制 |
| 3.5.1.2 全错位双面电荷槽SOI高压器件研制结果与分析 |
| 3.5.2 基于SIMOX技术的ST SOI器件 |
| 3.6 部分电荷槽PSOI高压器件结构 |
| 3.6.1 器件结构和耐压机理 |
| 3.6.2 击穿电压与器件结构参数的关系 |
| 3.7 复合埋层SOI高压器件 |
| 3.7.1 器件结构和耐压机理 |
| 3.7.2 击穿电压与器件结构参数的关系 |
| 3.7.2.1 击穿电压与ΔL_(I1)和L_W的关系 |
| 3.7.2.2 击穿电压与t_(I1)和t_(I2)的关系 |
| 3.7.2.3 多晶硅掺杂对击穿电压的影响 |
| 3.8 复合埋层SOI材料研制 |
| 3.8.1 实验方案 |
| 3.8.2 实验结果 |
| 3.9 小结 |
| 第四章 新型薄硅层SOI高压器件 |
| 4.1 薄硅层SOI高压器件—SOI高压技术发展的重要方向 |
| 4.2 薄硅层线性掺杂SOI高压器件 |
| 4.2.1 薄硅层线性掺杂SOI高压器件的耐压特性 |
| 4.2.2 薄硅层线性掺杂SOI高压器件的热特性 |
| 4.3 薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件 |
| 4.4 薄硅层阶梯漂移区SOI LDMOS的耐压解析模型 |
| 4.4.1 二维耐压解析模型 |
| 4.4.2 一维电场和电势分布解析模型 |
| 4.5 薄硅层阶梯漂移区SOI材料制备 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 下一步工作 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻博期间取得的研究成果 |
（7）ZnO纳米颗粒气敏性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 前言 |
| 第1章 文献综述 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 纳米材料的特性 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 |
| 1.2.2 宏观量子隧道效应 |
| 1.2.3 库仑阻塞效应 |
| 1.2.4 小尺寸效应 |
| 1.2.5 表面效应 |
| §1.3 氧化物半导体传感器的气敏机理 |
| 1.3.1 肖特基接触的影响 |
| 1.3.2 氧气的吸附与还原性气体的作用 |
| 1.3.3 电子耗尽层 |
| 1.3.4 氧空位 |
| 1.3.5 晶粒大小对气敏性能的影响 |
| 1.3.6 掺杂理论 |
| §1.4 氧化物半导体传感器的研究进展 |
| 1.4.1 ZnO的性质 |
| 1.4.2 纳米ZnO的制备方法 |
| 1.4.3 ZnO气敏传感器的研究进展 |
| 参考文献 |
| 第2章 实验原理与测试仪器 |
| §2.1 实验内容 |
| §2.2 实验设备 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.2.3 场发射扫描电镜(FESEM) |
| 2.2.4 紫外可见吸收谱(UV-vis absorption spectroscopy) |
| 2.2.5 旋涂机 |
| 2.2.6 傅立叶变换红外光谱(FTIR) |
| 2.2.7 电学性能的测量 |
| 第3章 表面修饰的纳米ZnO气敏性能的研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 传感器的制备和性能测试 |
| 3.2.1 PVP修饰的ZnO纳米颗粒的制备 |
| 3.2.2 薄膜型气敏元件的制备 |
| 3.2.3 气敏性能的测试方法 |
| §3.3 结果 |
| 3.3.1 紫外—可见光吸收谱 |
| 3.3.2 ZnO纳米颗粒薄膜的表面形貌 |
| 3.3.3 响应和恢复特性表征 |
| 3.3.4 基于Zn~(2+)：PVP摩尔比为5：5的ZnO纳米传感器的选择性 |
| 3.3.5 基于Zn~(2+)：PVP摩尔比为5：5的ZnO纳米传感器的重复性 |
| §3.4 讨论 |
| §3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 过渡元素Mo的掺杂对纳米ZnO气敏性能的影响 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 传感器的制备和性能测试 |
| 4.2.1 Mo-ZnO纳米颗粒的制备 |
| 4.2.2 薄膜型气敏元件的制备 |
| 4.2.3 气敏性能的测试方法 |
| §4.3 结果 |
| 4.3.1 Mo-ZnO纳米颗粒的形貌 |
| 4.3.2 Mo-ZnO纳米颗粒结构的表征 |
| 4.3.3 基于Mo-ZnO纳米颗粒传感器的选择性 |
| 4.3.4 不同Mo含量对Mo-ZnO纳米颗粒NH_3敏性能的影响 |
| 4.3.5 Mo含量为10％时ZnO纳米传感器的重复性 |
| §4.4 讨论 |
| §4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 氧化物纳米颗粒(Fe_2O_3，Mn_3O_4)掺杂对ZnO纳米颗粒气敏性能的影响 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 Fe_2O_3的掺杂对ZnO纳米颗粒气敏性能的影响 |
| 5.2.1 传感器的制备和性能测试 |
| 5.2.1.1 Fe_2O_3-ZnO纳米颗粒的制备 |
| 5.2.1.2 薄膜型气敏元件的制备 |
| 5.2.1.3 气敏性能的测试方法 |
| 5.2.2 结果 |
| §5.3 Mn_3O_4的掺杂对ZnO纳米颗粒气敏性能的影响 |
| 5.3.1 传感器的制备和性能测试 |
| 5.3.2 结果 |
| 5.3.3 讨论 |
| §5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 CdS纳米颗粒的掺杂对ZnO纳米颗粒气敏性能的影响 |
| §6.1 引言 |
| §6.2 传感器的制备与性能测试 |
| §6.3 结果 |
| 6.3.1 CdS纳米颗粒掺杂的ZnO纳米颗粒的形貌 |
| 6.3.2 结构与成分的表征 |
| 6.3.3 纳米颗粒的选择性 |
| 6.3.4 CdS含量对ZnO纳米颗粒的NH_3敏性能的影响 |
| 6.3.5 重复性 |
| §6.4 讨论 |
| §6.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第7章 结论 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（8）RF MEMS压控电容理论优化和工艺研究（论文提纲范文）
| 第1章 引言 |
| 课题的背景与目的 |
| 本研究的内容和本论文的安排 |
| 第2章 SPEC MEMS 压控电容的FEA 方法仿真与分析 |
| SPEC MEMS 电容的结构与工作原理 |
| SPEC MEMS 压控电容的有限元分析 |
| 本章小结 |
| 第3章 SPEC MEMS 压控电容力学结构的能量法分析与优化 |
| SPEC MEMS 电容的力学分析能量法模型 |
| 能量法计算结果的验证 |
| 各种参数对SPEC MEMS 压控电容的影响 |
| SPEC MEMS 电容力学结构的设计优化 |
| 本章小结 |
| 第4章 SPEC MEMS 压控电容的电学设计与仿真 |
| MEMS 压控电容的电学等效电路及其计算 |
| MEMS 压控电容的软件仿真 |
| MEMS 压控电容电学性能的计算、仿真结果的对比与讨论 |
| 本章小结 |
| 第5章 SPEC MEMS 压控电容的工艺设计与流水 |
| SPEC MEMS 压控电容关键工艺研究 |
| SPEC MEMS 压控电容的版图、工艺流程与经验 |
| 氧化多孔硅上制作的SPEC MEMS 压控电容的掩膜要求 |
| 本章小结 |
| 第6章 SPEC MEMS 压控电容的测试结果与讨论 |
| 铝薄膜可动极板SPEC MEMS 电容的器件性能测试 |
| 复合薄膜可动极板SPEC MEMS 电容的器件性能测试 |
| 不同衬底SPEC MEMS 电容的电学性能比较 |
| SPEC MEMS 压控电容的结构参数与力学性能分析 |
| 本章小结 |
| 第7章 结论 |
| 论文工作的主要内容 |
| 论文工作的创新点和主要成果 |
| 对进一步研究工作的展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 声明 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
| 个人简历 |
| 发表的学术论文 |
四、用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备（论文参考文献）
- [1]基于纳米压印的SiO2微纳结构基片的制作及光学特性研究[D]. 梁倞. 北京理工大学, 2018(07)
- [2]多孔硅光子器件的生物检测研究[D]. 吕长武. 新疆大学, 2017(09)
- [3]微观尺度下纳米硅材料的载流子输运特性和掺杂效应研究[D]. 许杰. 南京大学, 2015
- [4]金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光[D]. 程培红. 浙江大学, 2009(12)
- [5]图案化多孔硅制备、表征与爆炸特性研究[D]. 江梅. 重庆大学, 2008(06)
- [6]基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型[D]. 罗小蓉. 电子科技大学, 2007(04)
- [7]ZnO纳米颗粒气敏性能的研究[D]. 汤会香. 浙江大学, 2005(06)
- [8]RF MEMS压控电容理论优化和工艺研究[D]. 韦嘉. 清华大学, 2005(08)
- [9]一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感[J]. 陈忠民,刘泽文,刘理天. 仪器仪表学报, 2004(S1)
- [10]一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感[A]. 陈忠民,刘泽文,刘理天. 第二届全国信息获取与处理学术会议论文集, 2004(总第116期)